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2SJ598

2SJ598

Transistor canal P 2SJ598, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 720pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 23W. Fonction: diode de protection intégrée. Id(imp): 30A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS à canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

5.77€
Produit obsolète
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2SJ79

2SJ79

Transistor canal P 2SJ79, 500mA, 500mA, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=25°C): 500mA. Idss (maxi): 500mA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: transistor complémentaire (paire) 2SK216. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Type de canal: P. Type de transistor: FET...

10.17€
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