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PC-UP070

Aiguille PC-UP070. Equivalences: DS-ST15...

DS3057-12A

Connecteur DS3057-12A. 1.07k Ohms: MIL-C-5015. Fonction: passe-câble. Pour câble de section: max. Remarque: interface série, DS/MS. RoHS: oui. Série: Pour la série CSAT-K31.._. Type: Industriel, militaire...

WELLERDS-7

WELLERDS-7. Famille d'appareils: panne de fer à souder. Groupe de produits du fabricant: DS.. RoHS: oui...

A-DS09PP-Z

Connecteur SUB-D A-DS09PP-Z. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Configuration du connecteur: 2 rangées droites. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Famille de composants: Connecteur SUB-D. Groupe de produits du fabricant: A-DS. Nombre de bornes: 9. RoHS: oui. Température maxi: +105°C.. Type de connecteur: embase mâle à souder sur circuit imprimé...

DS3102A20-15P

Connecteur DS3102A20-15P. Brochage: à souder sur câble. Charge maxi: 23A. Configuration: 4 trous de fixation sur panneau. Diamètre du conducteur: section de câble 16AWG...18AWG (0.75...1.5mm2). Fonction: Industriel, militaire. Montage/installation: à visser. Nombre de contacts: 7. Norme: MIL-C-5015. RoHS: oui. Série: interface série, DS/MS. Type de connecteur: Connecteur pour applications militaires...

DS3102A22-14P

Connecteur DS3102A22-14P. Brochage: à souder sur câble. Charge maxi: 23A. Configuration: 4 trous de fixation sur panneau. Diamètre du conducteur: section de câble 0.5...1.5mm2. Délai de livraison: KB. Fonction: Industriel, militaire. Montage/installation: à visser. Nombre de contacts: 19 darab. Norme: MIL-C-5015. RoHS: oui. Série: interface série, DS/MS. Type de connecteur: Connecteur pour applications militaires...

DS3106A20-15S

Connecteur DS3106A20-15S. Brochage: à souder sur câble. Charge maxi: 23A. Configuration: connecteur à câbler. Diamètre du conducteur: section de câble 16AWG...18AWG (0.75...1.5mm2). Fonction: Industriel, militaire. Montage/installation: montage sur câble. Nombre de contacts: 7. Norme: MIL-C-5015. RoHS: oui. Série: interface série, DS/MS. Type de connecteur: Connecteur pour applications militaires...

DS3106A22-14P

Connecteur DS3106A22-14P. Brochage: à souder sur câble. Charge maxi: 13A. Configuration: connecteur à câbler. Diamètre du conducteur: section de câble 16AWG...18AWG (0.75...1.5mm2). Fonction: Industriel, militaire. Montage/installation: montage sur câble. Nombre de contacts: 19 darab. Norme: MIL-C-5015. RoHS: oui. Série: interface série, DS/MS. Type de connecteur: Connecteur pour applications militaires...

DS3106A22-14S

Connecteur DS3106A22-14S. Brochage: à souder sur câble. Charge maxi: 23A. Configuration: connecteur à câbler. Diamètre du conducteur: section de câble 16AWG...18AWG (0.75...1.5mm2). Fonction: Industriel, militaire. Montage/installation: montage sur câble. Nombre de contacts: 19 darab. Norme: MIL-C-5015. RoHS: oui. Série: interface série, DS/MS. Type de connecteur: Connecteur pour applications militaires...

DSC687M050S1ACL20K

Condensateur électrochimique DSC687M050S1ACL20K, 50V, 680uF, 105°C, 50V, -40...+105°C. Tension continue DC maxi: 50V. Capacité: 680uF. Température de fonctionnement maxi: 105°C. Tension continue: 50V. Température de fonctionnement: -40...+105°C. Configuration: montage vertical. Courant d'impulsion: 1550mA. Diamètre: 13mm. Distance entre connexions (pas): 5mm. Durée de vie à température maxi: 2000 heures. Durée de vie: 5000 heures. Impédance: 0.05 Ohms. Longueur: 25mm. Matériau du condensateur: électrolyte d'aluminium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Pas: 5.0mm. RoHS: oui. Série: DS. Tolérance: 20 %. Type de condensateur: condensateur électrolytique à faible ESR...

SUD15N06-90L

Transistor canal N SUD15N06-90L, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 15A. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 37W. Id(imp): 30A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

SI4410BDY

Transistor canal N SI4410BDY, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Technologie: D-S-MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

SI4420DY

Transistor canal N SI4420DY, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 10.5A. Id (T=25°C): 13.5A. Idss (maxi): 13.5A. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 50A. Marquage sur le boîtier: 4420AP. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Technologie: D-S-MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

SI4435DY

Transistor canal P SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 8.8A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Technologie: D-S-MOSFET. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

SI4532ADY

SI4532CDY

SI4539ADY

SI4542DY

SI4925BDY

Transistor canal P SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7.1A. Idss (maxi): 7.1A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Id (T=100°C): 5.7A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: P...

SI4925DDY

Transistor canal P SI4925DDY, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 7.3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 5W. Fonction: td(on) 10ns, td(off) 45ns. Id (T=100°C): 5.9A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.024 Ohms. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Type de canal: P...

SI4948BEY

Transistor canal P SI4948BEY, 2.4A, 2.4A, SO, SO-8, 60V. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Type de canal: P. Unité de conditionnement: 2500...

BS107ARL1G

Transistor canal N BS107ARL1G, TO-92, 200V, 250mA, 30nA, 6.4 Ohms, TO-92, 200V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Id (T=25°C): 250mA. Idss (maxi): 30nA. Résistance passante Rds On: 6.4 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. C (in): 60pF. C (out): 30pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 250mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id(imp): 500mA. Marquage du fabricant: BS107A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 12 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: (D-S) MOSFETs. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

SI3441BD

Transistor canal P SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. Id (T=25°C): 2.45A. Idss (maxi): 5nA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-6. Tension Vds(max): 20V. Dissipation de puissance maxi: 1nA. Id (T=100°C): 1.95A. Id(imp): 16A. Idss (min): 1nA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.45V...

SI4401BDY

Transistor canal P SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Id (T=100°C): 5.9A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Td(off): 97 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 35ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...