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BAS70-07

Diode BAS70-07, SOT-143, 0.07A. Boîtier: SOT-143. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.07A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..10uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 0.1A. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.750V @ 10mA...

BAS70JFILM

Diode BAS70JFILM, SOD-323, 0.07A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.07A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..10uA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 0.1A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 10mA...

BAS70T

Diode BAS70T...

BAS70TW

Diode BAS70TW...

BAS70WS

Diode BAS70WS...

BAS70WT

Diode BAS70WT...

BAS70WT-04

Diode BAS70WT-04...

BAS70WT-05

Diode BAS70WT-05...

BAS70WT-06

Diode BAS70WT-06...

BAS70X

Diode BAS70X...

BAS85

Diode BAS85, 12.7k Ohms, 0.2A, 4A, SOD-80C, 30 v. Boîtier: 12.7k Ohms. IF(AV): 0.2A. IFSM: 4A. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Courant d'impulsion max.: 5A. Courant: 200mA. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Fonction: Diodes à barrière Schottky à commutation rapide en verre. IRM (max): 2uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de conduction (tension de seuil): 0.8V. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V. Tension de seuil: 320mV. Tension inverse maxi: 30V. Trr Diode (Min.): 5 ns. Type de diode: diode de redressement Schottky...

BAS85-115

Diode BAS85-115...

BAS85-GS08

BAS85-GS18

Diode BAS85-GS18...

BAT17

Diode BAT17, SOT-23 ( TO-236 ), 30mA, 0.35A, SOT-23, 4 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 30mA. If [A]: 0.35A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 4 v. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..50uA. Diode Schottky?: Schottky. Double: non. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Ifsm [A]: 7.5A. Marquage sur le boîtier: 53s. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 53s. RoHS: oui. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température maxi: +125°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 200mA...

BAT17-04

Diode BAT17-04, 130mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 4 v. IF(AV): 130mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Marquage sur le boîtier: 54s. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS 54s. RoHS: oui. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V...

BAT17-05

Diode BAT17-05, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 4 v. IF(AV): 30mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 4 v. Diode Schottky?: Schottky. Double: double. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Marquage sur le boîtier: 55s. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS 55s. RoHS: oui. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Structure diélectrique: Cathode commune. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V...

BAT18

Diode BAT18, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 35V. IF(AV): 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 35V. Diode Schottky?: Schottky. Fonction: Diode de commutation de bande VHF/UHF. Marquage sur le boîtier: A2. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 1.2V...

BAT18-04

Diode BAT18-04, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 35V. IF(AV): 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 35V. Diode Schottky?: Schottky. Fonction: Diode de commutation de bande VHF/UHF 10MHz. Marquage sur le boîtier: AUs. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. Tf (type): 120ns...

BAT41

Diode BAT41, DO-35 ( SOD27 ), 0.1A, 0.75A, 0.1A, 0.1A, DO-35, 100V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Courant redressé moyen par diode: 0.1A. If [A]: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 2pF. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 750mA. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.1uA..20uA. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. IRM (max): 20uA. IRM (min): 0.1uA. Ifsm [A]: 0.75A. Information: -. MSL: n/a. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 750mAp t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: BAT4. Temps de réaction: 5ns. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 0.45V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Tension de seuil Vf (max): 0.45V. Tension de seuil Vf (min): 0.4V. Tension de seuil: 450mV, 0.45V. Tension inverse maxi: 100V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Type de montage: THT. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.45V @ 1mA...

BAT42

BAT42WS

Diode BAT42WS...

BAT43

BAT43WS

Diode BAT43WS, SOD-323, 0.2A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +125°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...