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BAS34

Diode BAS34, 0.2A, 2A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 70V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Fonction: -. IRM (max): 0.5uA. IRM (min): 1nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V...

BAS385

Diode BAS385, MICROMELF, 0.2A. Boîtier: MICROMELF. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2.3uA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 5A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.4V @ 10mA...

BAS40

Diode BAS40, 0.2A, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 43. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

BAS40-02

Diode BAS40-02, 120mA, 0.6A, SOD-523, SOD-523, 40V. IF(AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOD-523. Boîtier (selon fiche technique): SOD-523. VRRM: 40V. Cj: 4pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: .W. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

BAS40-04

Diode BAS40-04, SOT-23 ( TO-236 ), 0.2A, 0.12A, 0.6A, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 0.2A. If [A]: 0.12A. IFSM: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Ifsm [A]: 0.2A. Marquage sur le boîtier: 44. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.5V @ 10mA...

BAS40-04T

Diode BAS40-04T...

BAS40-05

Diode BAS40-05, 0.2A, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 45. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

BAS40-05T

Diode BAS40-05T...

BAS40-06

Diode BAS40-06, 0.2A, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 46. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: anode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

BAS40-07

Diode BAS40-07, 0.2A, 0.6A, SOT-143, SOT-143B, 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. VRRM: 40V. Cj: 5pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 47 s. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Indépendant. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

BAS40T

Diode BAS40T...

BAS40V

Diode BAS40V...

BAS40W

Diode BAS40W...

BAS40WS

Diode BAS40WS...

BAS40WT

Diode BAS40WT...

BAS40X

Diode BAS40X...

BAS45A

Diode BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V. IF(AV): 250mA. IFSM: 1A. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Conditionnement: rouleau. Fonction: Diode à faible fuite. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: faible courant inverse. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. Trr Diode (Min.): 1.5us. Unité de conditionnement: 5000...

BAS516

Diode BAS516...

BAS521

Diode BAS521...

BAS70-04

BAS70-04LT1G

Diode BAS70-04LT1G, SOT-23, 0.07A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.07A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..10uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 0.1A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 10mA...

BAS70-04W

Diode BAS70-04W...

BAS70-05

Diode BAS70-05, SOT-23, 0.07A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.07A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..10uA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 0.1A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 10mA...

BAS70-06-215

Diode BAS70-06-215, SOT-23, 0.07A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.07A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..10uA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 0.1A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 10mA...