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1N5407

1N5407

Diode 1N5407, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 800V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

0.19€
Quantité en stock: 2496
1N5711

1N5711

Diode 1N5711, 15mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 70V. IF(AV): 15mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Distance entre connexions (pas): 4.5x2mm. Fonction: détection VHF/UHF. IRM (max): 0.2uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode SCHOTTKY. RoHS: oui. Spec info: f=1MHz 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V...

0.13€
+885 rapidement
Quantité en stock: 201
Minimum: 5
1N5711W-7-F

1N5711W-7-F

Diode 1N5711W-7-F, 15mA, SOD-123, SOD123, 70V. IF(AV): 15mA. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Dimensions: 2.85x1.7x1.35mm. Fonction: détection VHF/UHF. IRM (max): 0.2uA. Marquage sur le boîtier: SA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode SCHOTTKY. RoHS: oui. Spec info: f=1MHz 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V...

0.21€
Quantité en stock: 393
1N5817

1N5817

Diode 1N5817, DO-204, 1A, 25A, DO-204AL ( 5.2x2.7mm ), 20V. Boîtier: DO-204. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 5.2x2.7mm ). VRRM: 20V. Cj: 110pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.45V. Tension de seuil: 450mV. Tension inverse maxi: 20V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement Schottky...

0.0522€
+3724 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 132
Minimum: 10
1N5818

1N5818

Diode 1N5818, DO-41, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 30 v. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 30 v. Cj: 110pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Fonction: diode de redressement Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Tension de seuil: 550mV. Tension inverse maxi: 30V. Type de diode: diode de redressement Schottky...

0.0414€
+100 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 2521
Minimum: 10
1N5819

1N5819

Diode 1N5819, DO-41, DO-204AL, 1A, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 40V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AL. IF(AV): 1A. If [A]: 1A. IFSM: 25A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 55pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..10mA. Courant: 1A. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Fonction: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 40A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.6V. Tension de seuil: 600mV. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.6V @ 1A...

0.0521€
+19371 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 2197
Minimum: 10
1N5819HW-7-F

1N5819HW-7-F

Diode 1N5819HW-7-F, 1A, 25A, SOD-123, SOD123 ( 2.85x1.7mm ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 50pF. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 1.5mA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SL. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Puissance: 450mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.32V...

0.0781€
Quantité en stock: 2647
Minimum: 10
1N5822

1N5822

Diode 1N5822, DO-27, 3A, 80A, 3A, DO-27 ( 9.6x5.6mm ), 40V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.6x5.6mm ). VRRM: 40V. Cj: 250pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 80A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2mA..20mA. Courant: 3A. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.475V. Tension de seuil: 530mV. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.95V @ 3A...

0.22€
+5377 rapidement
Quantité en stock: 507
1N5908

1N5908

Diode Transil 1N5908. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 (5.5x9.5mm). Boîtier: DO-201. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 200A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Uz [V]: 300uA @ 5V. Courant de fuite: 5uA. Dissipation de puissance maxi: 1.5 kW. Dissipation maximale (impulsion) Pp [W] @ t[msec.]: 1500W @ 1ms. Famille de composants: Suppresseur unidirectionnel pour la protection des circuits TTL (600W @ 1msec.). Fonction: diode transil, protection de surtensions. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Puissance: 1.5kW. RoHS: oui. Structure diélectrique: unidirectionnel. Structure semi-conductrice: unidirectionnel. Température maxi: +175°C.. Tension de claquage: 6V. Tension de maintien du sens de fermeture [V]: 5V. Tension inverse maxi: 5V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: TVS. Type de suppresseur transitoire: unidirectionnel. Ubr [V] @ Ibr [A]: -...

0.70€
+436 rapidement
Quantité en stock: 274
1N5956B

1N5956B

Diode Zéner 1N5956B, 3W, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( 4.8x2.5mm ), 200V. Dissipation de puissance maxi: 3W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ) ( 4.8x2.5mm ). Tension Zéner: 200V. Conditionnement: -. Fonction: Indice ESD de classe 3 (> 16 kV) par modèle de corps humain. IRM (max): 1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tolérance: 5%. Unité de conditionnement: 2000. VRRM: 200V...

0.40€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1678
1N6263

1N6263

Diode 1N6263, 15mA, 50mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 60V. IF(AV): 15mA. IFSM: 50mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 2.2pF. Fonction: Ultrafast switching. IRM (max): 0.2uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: détection VHF/UHF. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V...

0.19€
Quantité en stock: 3649
1N914

1N914

Diode 1N914, DO-35 ( SOD27 ), 300mA, 4A, DO-35, 100V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). IF(AV): 300mA. IFSM: 4A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Courant: 0.3A. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: 0...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 620mV. Tension inverse maxi: 100V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Type de diode: diode de commutation...

0.0463€
+100 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7135
Minimum: 10
1SMA5916BT3G

1SMA5916BT3G

Diode Zéner 1SMA5916BT3G, SMA, DO-214AC, 4.3V, 1.5W. Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 4.3V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: -. Famille de composants: Diode Zener 1W. Composant monté en surface (CMS). Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 87mA. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.41€
Quantité en stock: 3479
1SMB5934BT3G

1SMB5934BT3G

Diode Zéner 1SMB5934BT3G, SMB, 24V, 3W. Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 24V. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 18.2V. Famille de composants: diode zéner, montage CMS, max 250mW. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 19 Ohms @ 15mA. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.44€
Quantité en stock: 2349