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TZMC3V0GS08

TZMC3V0GS08

Diode Zéner TZMC3V0GS08, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 3V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 3V. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 40uA. IRM (min): 4uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: SI-Z SMD. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tolérance: 5%...

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TZMC3V3GS08

TZMC3V3GS08

Diode Zéner TZMC3V3GS08, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 3.3V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 3.3V. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 40uA. IRM (min): 2uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tolérance: 5%...

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Quantité en stock: 1399
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TZMC3V6GS08

TZMC3V6GS08

Diode Zéner TZMC3V6GS08, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 3.6V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 3.6V. Date de production: 2012/48. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 40uA. IRM (min): 2uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tolérance: 5%...

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Quantité en stock: 2166
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TZMC3V9GS08

TZMC3V9GS08

Diode Zéner TZMC3V9GS08, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 3.9V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 3.9V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tolérance: 5%. VRRM: 3.9V...

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TZMC4V3GS08

TZMC4V3GS08

Diode Zéner TZMC4V3GS08, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 4.3V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 4.3V. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 20uA. IRM (min): 1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: SI-Z SMD. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tolérance: 5%...

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TZMC4V7GS08

TZMC4V7GS08

Diode Zéner TZMC4V7GS08, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 4.7V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 4.7V. Date de production: 2014/45. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 10uA. IRM (min): 0.5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: SI-Z SMD. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tolérance: 5%...

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TZMC5V6GS08

TZMC5V6GS08

Diode Zéner TZMC5V6GS08, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 5.6V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 5.6V. Fonction: SI-Z SMD. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tolérance: 5%...

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TZMC6V8GS08

TZMC6V8GS08

Diode Zéner TZMC6V8GS08, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 6.8V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 6.8V. Date de production: 2014/44. Fonction: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tolérance: 5%. VRRM: 6.8V...

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