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2SA562

Transistor PNP 2SA562, 0.4A, 30 v. Courant de collecteur: 0.4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 70 MHz. Fonction: usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 70...140. Spec info: 2SA562-O. Type de transistor: PNP...

2SA562-Y

Transistor PNP 2SA562-Y, 0.4A, 30 v. Courant de collecteur: 0.4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 70 MHz. Fonction: usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 120...240. Spec info: KTA562-Y. Type de transistor: PNP...

BC308A

Transistor PNP BC308A, 0.1A, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 130 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP...

BF479

Transistor PNP BF479, 50mA, 30 v. Courant de collecteur: 50mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP...

BF479S

Transistor PNP BF479S, 50mA, 30 v. Courant de collecteur: 50mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: VHF/UHF-V. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP...

KSB564A

Transistor PNP KSB564A, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 110 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SAMSUNG. Type de transistor: PNP...

2SA838

Transistor PNP 2SA838, TO-92, 30V/20V, 30mA, 0.03A, 30 v. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Courant de collecteur: 0.03A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. FT: 300 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Type de transistor: PNP...

BC214C

Transistor PNP BC214C, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

BC415C

Transistor PNP BC415C, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 300 MHz. Fonction: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

BC516

Transistor PNP BC516, TO-92, 0.4A, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: hFE 3000. Fréquence: 200MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC517. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Transistor Darlington?: oui. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V...

BC516-D27Z

Transistor PNP BC516-D27Z, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BC517. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BC558B

Transistor PNP BC558B, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation et amplificateur AF. Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...

BC559A

Transistor PNP BC559A, TO-92, TO-226AA, 30 v, 200mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: C559A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C...

BC858C-3G

Transistor PNP BC858C-3G, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 3G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BC858CLT1G-3L

Transistor PNP BC858CLT1G-3L, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 3L. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BC859C-4C

Transistor PNP BC859C-4C, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 4C. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C...

BCV62C

BF324

Transistor PNP BF324, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. FT: 450 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP...

BF606A

Transistor PNP BF606A, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 700 MHz. Fonction: Oscillateur VHF. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v...

D45H2A

Transistor PNP D45H2A, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 60W. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...

FZT949

Transistor PNP FZT949, SOT-223 ( TO-226 ), 30 v, 5.5A, 5.5A, SOT-223, 30 v. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5.5A. Courant de collecteur: 5.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation de puissance maxi: 3W. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fonction: PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 20A. Marquage du fabricant: FZT949. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: tension de saturation très faible. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 6V...

KSA642

Transistor PNP KSA642, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: KSA642-O. Type de transistor: PNP...

KSA928A-Y

Transistor PNP KSA928A-Y, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 120 MHz. Fonction: 9mm. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Samsung>> STB1277. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...

KTA1663

Transistor PNP KTA1663, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 120 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial Planar PNP Transistor'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...