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BF606A

Transistor PNP BF606A, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 700 MHz. Fonction: Oscillateur VHF. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v...

2SA970

Transistor PNP 2SA970, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2240. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

2SA1370

Transistor PNP 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (in): 1.7pF. C (out): 2.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Fonction: vidéo. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Vebo: 5V...

A743A

Transistor PNP A743A, TO-126, 80V, 1A. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 8W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 120 MHz. Marquage du fabricant: A743. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C...

MJ15016

Transistor PNP MJ15016, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 360pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 180W. FT: 0.8 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: -. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V...

PUMB11-R

Transistor PNP PUMB11-R, SOT-363, 50V, 100mA. Boîtier: SOT-363. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: double transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Marquage du fabricant: B*1. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

UN9111

Transistor PNP UN9111, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Fonction: 1.6mm. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP...

2N6109

Transistor PNP 2N6109, 7A, 60V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 10 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 20. Spec info: TO-220AB. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V...

2SA965

Transistor PNP 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 120 MHz. Fonction: Processus PCT. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 80. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2235-Y. Technologie: 'Epitaxial Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

2SA999

Transistor PNP 2SA999, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 200 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP...

2SB1560-SKN

Transistor PNP 2SB1560-SKN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN ( MT-100 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Ic(puls): A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Transistor Darlington?: 1. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

BC212BG

Transistor PNP BC212BG, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 280 MHz. Marquage du fabricant: BC212BG. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BC516-D27Z

Transistor PNP BC516-D27Z, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BC517. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

MPSA56G

Transistor PNP MPSA56G, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: MPSA56. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

SS9012H

Transistor PNP SS9012H, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 95pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: excellente linéarité hFE. Type de transistor: PNP...

ZDT751TA

2SB695

Transistor PNP 2SB695, 7A, 170V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 170V. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 7 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP...

BD646

Transistor PNP BD646, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 62.5W. FT: 7 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 1500. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

BDX66C

Transistor PNP BDX66C, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 7 MHz. Fonction: hFE 1000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX67C. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP...

BDX66C-SML

Transistor PNP BDX66C-SML, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 7 MHz. Fonction: hFE 1000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX67C. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP...

FP101

Transistor PNP FP101, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP4. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Ic(puls): 5A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 7. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 2SB1121 et SB05-05CP intégrés dans un seul boîtier. Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v...