MJ11015G
Transistor PNP MJ11015G, TO-3 ( TO-204 ), -120V, TO-204AA, 30A, 120V, 30A, TO-3, 120V. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: -120V. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Courant de collecteur: 30A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Bande passante MHz: 4MHz. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: -30A. Diode BE: non. Diode CE: non. Diode intégrée: oui. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. FT: 4 MHz. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Fonction: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 4MHz. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 1000. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJ11015G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Polarité: PNP. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 2. Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11016. Série: MJ11015G. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Température maxi: +200°C.. Tension base / collecteur VCBO: -120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: Montage sur châssis. Type de transistor: PNP. Type: transistor Darlington. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...
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