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NJW0281G

Transistor PNP NJW0281G, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 9pF. C (out): 10pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 30 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW0302. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

6.28€

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NJW1302

Transistor PNP NJW1302, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 30MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW3281. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

7.56€

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PBSS4041PX

Transistor PNP PBSS4041PX, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT89 (SC-62). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 85pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 110 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: 6g. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: PBSS4041NX. Spec info: sérigraphie/code CMS 6G. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 60mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 300mV. Tf (type): 75 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

1.32€

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PMBT4403

Transistor PNP PMBT4403, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 600mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 29pF. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 200 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 800mA. Marquage sur le boîtier: *T2, P2T, T2T, W2T. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS P2T, T2T, W2T, transistor complémentaire (paire) PMBT4401. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.0668€

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PN200

Transistor PNP PN200, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 75pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: Amplificateur à usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hFE 80...450. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V...

0.16€

Quantité en stock: 112

PN200A

Transistor PNP PN200A, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 45pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: Amplificateur à usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hFE 240...600. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V...

0.45€

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PN2907A

Transistor PNP PN2907A, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92AMMO. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 200 MHz. Fonction: Amplificateur à usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.11€

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SS8550

Transistor PNP SS8550, TO-92, 1.5A, TO-92, 25V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (in): 11pF. C (out): 1.5pF. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 160. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. Tension (collecteur - émetteur): 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V...

0.20€

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SS9012G

Transistor PNP SS9012G, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: 4. Spec info: excellente linéarité hFE. Type de transistor: PNP...

0.0928€

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SS9012H

Transistor PNP SS9012H, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 95pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: excellente linéarité hFE. Type de transistor: PNP...

0.18€

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TIP127

Transistor PNP TIP127, TO-220, -100V, 5A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (in): 75pF. C (out): 10pF. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 5A. Courant maximum 1: -5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: kHz. Fonction: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Gain hFE min.: 1000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 8A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: TIP127. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 65W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP122. Série: TIP127. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: -100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: transistor Darlington. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.64€

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TIP127G

Transistor PNP TIP127G, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 300pF. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: -. Fonction: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP122G. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

1.39€

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TIP137

Transistor PNP TIP137, TO-220, TO-220AB, 100V, 8A, 8A, TO220, 100V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 70pF. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 70W. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Fonction: -. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 15000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 12V. Marquage du fabricant: TIP137. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 70W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP132. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 4 v. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.98€

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TIP32C

Transistor PNP TIP32C, TO-220, 3A, TO-220, 115V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. C (out): 160pF. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 3A. Date de production: 201448. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 3 MHz. Fonction: PNP TRANS 100V 3. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 40W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP31C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Type de transistor: PNP...

0.67€

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TIP36C

Transistor PNP TIP36C, TO-247, -100V, 25A, 100V, 25A, TO-247, 100V. Boîtier: TO-247. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 45pF. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 25A. Date de production: 1512. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 3MHz. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50A. Marquage du fabricant: TIP33C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 125W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP35C. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

2.64€

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ZTX551

Transistor PNP ZTX551, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 15pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX451. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

1.08€

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ZTX753

Transistor PNP ZTX753, TO-92, 2A, TO-92, 100V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 30pF. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 140 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat) 0.9V. Fréquence: 140MHz. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX653. Technologie: SILICON PLANAR. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V, 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.17V. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Type de conditionnement: -. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

1.21€

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