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KSP2907AC

Transistor PNP KSP2907AC, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 12pF. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: brochage E, C, B. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.0887€

Quantité en stock: 52

KSP92TA

Transistor PNP KSP92TA, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor PNP au silicium épitaxial. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 2000. Vcbo: 300V. Vebo: 5V...

0.0691€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 199

KSR2007

Transistor PNP KSR2007, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 2.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: S. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance B: 47. Résistance BE: 47. Spec info: 12159-301-810. Type de transistor: PNP...

0.97€

Quantité en stock: 89

KTA1266Y

Transistor PNP KTA1266Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 3.7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 80 MHz. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance B: 10. Résistance BE: 10. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

4.70€

Quantité en stock: 25

KTA1663

Transistor PNP KTA1663, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 120 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial Planar PNP Transistor'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...

0.53€

Quantité en stock: 32

KTB778

Transistor PNP KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( H ) IS. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 280pF. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 10 MHz. Fonction: Amplificateur audio haute puissance. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Marquage sur le boîtier: B778. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) KTD998. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

2.26€

Quantité en stock: 18

MJ11033

Transistor PNP MJ11033, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Courant de collecteur: 50A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Gain hFE maxi: 18000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 100A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11032. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V...

23.87€

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MJ15016

Transistor PNP MJ15016, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 360pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 180W. FT: 0.8 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: -. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V...

3.71€

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MJ15023

Transistor PNP MJ15023, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. FT: 4 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15022. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V...

5.91€

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MJ15023-ONS

Transistor PNP MJ15023-ONS, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15022. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V...

12.22€

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MJ15025-ONS

Transistor PNP MJ15025-ONS, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 280pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15024. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Vebo: 5V...

12.24€

Quantité en stock: 28

MJ21195

Transistor PNP MJ21195, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204AA ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. FT: 4 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ21196. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 400V...

13.90€

Quantité en stock: 80

MJ2955

Transistor PNP MJ2955, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 115W. FT: 2.5 MHz. Fonction: Applications de commutation et d'amplification. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N3055. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

2.60€

Quantité en stock: 43

MJE15033G

Transistor PNP MJE15033G, -250V, TO-220, 8A, TO-220, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Bande passante MHz: 30MHz. C (out): 2pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: -8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 30 MHz. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fonction: pour amplificateur audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Fréquence maxi: 30MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE min.: 10. Gain hFE mini: 10. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJE15033G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 50W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15032. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: -250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: Puissance. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

2.55€

+200 rapidement
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MJE15035G

Transistor PNP MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 2.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) MJE15034G. RoHS: oui. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V...

2.32€

Quantité en stock: 60

MJE210G

Transistor PNP MJE210G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 120pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 65MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE200. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Vebo: 8V...

0.67€

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MJE253G

Transistor PNP MJE253G, -100V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 200pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 40 MHz. Fonction: Commutation à grande vitesse. Audio. Fréquence maxi: 40 MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 15W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE243. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

0.76€

+282 rapidement
Quantité en stock: 64

MJE350-ONS

Transistor PNP MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 7pF. C (out): 110pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. Equivalences: KSE350. FT: 10 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: PNP. Vebo: 3V...

0.88€

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MJE350-ST

Transistor PNP MJE350-ST, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 30pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier plastique. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Vebo: 3V...

0.76€

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MJL1302A

Transistor PNP MJL1302A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. C (out): 1.7pF. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 30 MHz. Fonction: hFE 45(min). Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL3281A. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 25. Vcbo: 260V. Vebo: 5V...

8.19€

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MJL21193

Transistor PNP MJL21193, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 500pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21194. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Vebo: 5V...

8.20€

+25 rapidement
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MMBT3906LT1G

Transistor PNP MMBT3906LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, 40V, 200mA, 200mA, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 1.6pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fonction: UNI. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Fréquence: 250MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 800mA. Marquage du fabricant: 2A. Marquage sur le boîtier: 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 300mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 2A. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.0347€

+3271 rapidement
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MMBTA92

Transistor PNP MMBTA92, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 170pF. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Equivalences: PMBTA92.215. FT: 50 MHz. Fonction: transistor amplificateur haute tension (version CMS du transistor MPSA42). Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Marquage sur le boîtier: 2D. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 2D. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MMBTA42. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 300V. Vebo: 5V...

0.0534€

+22702 rapidement
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MPSW51A

Transistor PNP MPSW51A, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (in): 60pF. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 50 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V...

0.0826€

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