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BC327-25

Transistor PNP BC327-25, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 160-400. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-25. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC327-25-AMMO

Transistor PNP BC327-25-AMMO, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 160-400. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-25. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC327-40

Transistor PNP BC327-40, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 12pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fonction: hFE 250-600. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE min.: 170. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC327-40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-40. Série: BC. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: -50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC327-40-AMMO

Transistor PNP BC327-40-AMMO, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 250-600. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-40. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC556B

Transistor PNP BC556B, TO-92, TO-226, -65V, 65V, 100mA, 100mA, TO-92, 80V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur VCEO: -65V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 100MHz. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Conditionnement: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 200. Gain hfe: 200. Ic(puls): 200mA. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC556B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC546B. Série: BC. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 65V. Tension base / collecteur VCBO: -80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de conditionnement: -. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

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BC557A

Transistor PNP BC557A, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo-Pak ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 110. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547A. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC557B

Transistor PNP BC557B, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 100mA, 100mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Bande passante MHz: 150MHz. C (out): 6pF. Conditionnement: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. FT: 150 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 250. Gain hfe: 200. Ic(puls): 200mA. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC557B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547B. Série: BC. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension base / collecteur VCBO: -50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Type de conditionnement: -. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC557C

Transistor PNP BC557C, TO-92, -50V, 100mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (in): 10pF. C (out): 3.5pF. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA, 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547C. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Type de conditionnement: -. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC560C

Transistor PNP BC560C, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 2.5pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA, 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 380. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550C. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC636

Transistor PNP BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Date de production: 1997.04. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 70 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

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BC640-16

Transistor PNP BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 150 MHz. Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 100...250. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.8/2.75W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC639-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

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BC807-40

Transistor PNP BC807-40, SOT-23 ( TO-236 ), -45V, 0.5A, SOT23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 80MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE min.: 250. Gain hFE mini: 250. Gain hfe: 400. Ic(puls): 1A. Information: -. Marquage sur le boîtier: 5C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 300W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5C. Série: BC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension base / collecteur VCBO: -50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de montage: SMD. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0433€

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BC856B

Transistor PNP BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 4.5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Equivalences: ON Semiconductor BC856BLT1G. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE min.: 220. Gain hFE mini: 220. Gain hfe: 290. Ic(puls): 200mA. Information: -. Marquage sur le boîtier: 3B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3B. Série: BC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 80V, 65V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.065V. Type de montage: SMD. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

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BC860C

Transistor PNP BC860C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (in): 10pF. C (out): 4.5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Fréquence: 100MHz, 150MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Marquage sur le boîtier: 4G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) BC850C. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 4G. Température de fonctionnement: -68...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V, 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BCP51-16

Transistor PNP BCP51-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 15pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. FT: 145 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP51/16. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP54-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

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BCP52-16

Transistor PNP BCP52-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 15pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. FT: 145 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP52/16. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP55-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.18€

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BCP53-16

Transistor PNP BCP53-16, SOT-223 ( TO-226 ), -80V, 1A, SOT-223, 80V. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 50MHz. C (out): 25pF. Courant maximum 1: -1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 2W. FT: 150MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 100. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Information: -. Marquage sur le boîtier: BCP 5316. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 1.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP56-16. Série: BCP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension base / collecteur VCBO: -100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de montage: SMD. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.17€

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BCX42

Transistor PNP BCX42, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 125V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 150 MHz. Fonction: transistor PNP. pour applications AF et commutation. Gain hFE maxi: 63. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: DKs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX41. Température de fonctionnement: -65...150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.9V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 125V. Vebo: 5V...

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BF493S

Transistor PNP BF493S, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 50 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 6V...

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BF821

Transistor PNP BF821, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 1W. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1W. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V...

0.27€

Quantité en stock: 227

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DTA143ZT

Transistor PNP DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Fonction: Transistor PNP équipé d'une résistance. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 100mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance B: 4.7k Ohms. Résistance BE: 47k Ohms. Spec info: sérigraphie/code CMS 19. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 10V...

0.0956€

Quantité en stock: 65

Minimum: 10

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KSA940

Transistor PNP KSA940, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 55pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 4 MHz. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC2073. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

0.94€

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KSA992-F

Transistor PNP KSA992-F, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (AMMO). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 2pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Equivalences: 2SC992. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 300. Marquage sur le boîtier: A992. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC1845. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

0.38€

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KSB1366GTU

Transistor PNP KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 9 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Ic(puls): -. Marquage sur le boîtier: B1366-G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSD2012. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 7V...

1.81€

Equivalence disponible
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