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MPSA13

MPSA13

Transistor NPN MPSA13, 0.5A, 30 v. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 10000. Gain hFE mini: 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor Darlington. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tf(min): 125 MHz. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 10V...

0.12€
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2N5088

2N5088

Transistor NPN 2N5088, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (in): 10pF. C (out): 4pF. Courant de collecteur Ic [A]: 50mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 625W. FT: 50 MHz. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 900. Gain hFE mini: 300. Gain hfe: 300...900. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 35V...

0.21€
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Quantité en stock: 6307
2SC2236

2SC2236

Transistor NPN 2SC2236, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 900mW. FT: 120MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA966. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...

0.99€
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Quantité en stock: 5
2SC2500

2SC2500

Transistor NPN 2SC2500, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 5A. Marquage sur le boîtier: C2500. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 6V...

0.69€
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2SC3807

2SC3807

Transistor NPN 2SC3807, 2A, TO-126F, TO-126LP, 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126LP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. FT: 260 MHz. Fonction: hFE 800. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance B: 22. Résistance BE: 22. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.. Type de transistor: NPN...

0.71€
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BC517

BC517

Transistor NPN BC517, TO-92, 1A, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Courant de collecteur Ic [A]: 400mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 200MHz. Gain hFE mini: 30000. Gain hfe: 30k. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC516. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: transistor Darlington. Vcbo: 40V. Vebo: 10V...

0.16€
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BC549C

BC549C

Transistor NPN BC549C, TO-92, 0.1A, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 100 MHz. Fréquence: 300MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Type de transistor: NPN...

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Minimum: 10
KSD882-Y

KSD882-Y

Transistor NPN KSD882-Y, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (out): 500pF. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 90 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SD882-Y. Type de transistor: NPN...

0.32€
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KTC9018

KTC9018

Transistor NPN KTC9018, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 20mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (out): 3.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 800 MHz. Fonction: FM-V/M/O. Gain hFE maxi: 198. Gain hFE mini: 40. Marquage sur le boîtier: 15.8k Ohms. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v...

0.53€
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