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Nous vous proposons une sélection de 2 produits pouvant correspondre à votre recherche de "MJ2955-ST" (Transistors bipolaires NPN)

2N3055-ONS

2N3055-ONS

Transistor NPN 2N3055-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 115W. FT: 2.5 MHz. Fonction: Amplificateur audio linéaire et commutation. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ2955. Technologie: 'epitaxial-base planar technology'. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

11.95€
Quantité en stock: 38
2N3055-CDIL

2N3055-CDIL

Transistor NPN 2N3055-CDIL, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 115W. FT: 2.5 MHz. Fonction: Amplificateur audio linéaire et commutation. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ2955. Technologie: 'epitaxial-base planar technology'. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

1.93€
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Quantité en stock: 58