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2SC2274

2SC2274

Transistor NPN 2SC2274, TO-92, 500mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V...

0.58€
Quantité en stock: 1
2SC2275

2SC2275

Transistor NPN 2SC2275, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 3A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

5.27€
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2SC2295

2SC2295

Transistor NPN 2SC2295, TO-236, 30mA. Boîtier: TO-236. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V...

0.60€
Quantité en stock: 20
2SC2344

2SC2344

Transistor NPN 2SC2344, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 30pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 100MHz. Fonction: Amplificateur de puissance AF à commutation haute tension. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 3A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1011. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 6V...

3.72€
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2SC2352

2SC2352

Transistor NPN 2SC2352, TO-92, 30mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V...

0.72€
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2SC2383

2SC2383

Transistor NPN 2SC2383, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 20pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 20 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Marquage sur le boîtier: C2383 Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1013. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 6V...

0.60€
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2SC2412

2SC2412

Transistor NPN 2SC2412, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200mW. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Marquage sur le boîtier: BQ. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS BQ. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1037. Température: +155°C. Tension de saturation VCE(sat): 400mV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V...

0.37€
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2SC2482

2SC2482

Transistor NPN 2SC2482, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 70 MHz. Fonction: CSC2342. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hauteur 5mm. Type de transistor: NPN...

0.32€
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2SC2500

2SC2500

Transistor NPN 2SC2500, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 5A. Marquage sur le boîtier: C2500. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 6V...

0.69€
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2SC2625

2SC2625

Transistor NPN 2SC2625, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V...

2.96€
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2SC2636

2SC2636

Transistor NPN 2SC2636, D8/C, 50mA. Boîtier: D8/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V...

0.66€
Quantité en stock: 20
2SC2668

2SC2668

Transistor NPN 2SC2668, D6/C, 20mA. Boîtier: D6/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V...

0.29€
Quantité en stock: 34
2SC2682

2SC2682

Transistor NPN 2SC2682, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 8W. FT: 200 MHz. Fonction: hFE 100...200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

0.60€
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2SC2690A

2SC2690A

Transistor NPN 2SC2690A, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 19pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 155 MHz. Fonction: HF. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 2.5A. Marquage sur le boîtier: C2690A Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1220A. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

1.39€
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2SC2705

2SC2705

Transistor NPN 2SC2705, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 1.8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 800mA. Marquage sur le boîtier: C2705. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 9mm. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1145. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

1.22€
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2SC2713-GR

2SC2713-GR

Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150mW. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: DG. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS DG. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1163. Tension de saturation VCE(sat): 300mV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V...

3.47€
Quantité en stock: 285
2SC2804

2SC2804

Transistor NPN 2SC2804, SOT-103, 20mA. Boîtier: SOT-103. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V...

0.87€
Quantité en stock: 6
2SC2814

2SC2814

Transistor NPN 2SC2814, TO-236, 30mA. Boîtier: TO-236. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V...

0.47€
Quantité en stock: 19
2SC2878A

2SC2878A

Transistor NPN 2SC2878A, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 300mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Dissipation de puissance maxi: 400mW. FT: 30 MHz. Fonction: Pour la mise en sourdine et la commutation. Gain hFE maxi: 1200. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type. Tension de saturation VCE(sat): 0.042V. Tf(max): 130 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 25V...

0.43€
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2SC2911

2SC2911

Transistor NPN 2SC2911, 0.14A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 180V. Courant de collecteur: 0.14A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 0.2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1209. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

1.70€
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