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ZTX1049A

Transistor NPN ZTX1049A, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 120pF. Conditionnement: -. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 180 MHz. Fonction: transistor unijonction UJT, hi-beta, lo-sat. Gain hFE maxi: 1200. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX788. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.03V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 2000. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

2.20€

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ZTX450

Transistor NPN ZTX450, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 15pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX550. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.25V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.97€

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ZTX451

Transistor NPN ZTX451, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 15pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX551. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

1.08€

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ZTX458

Transistor NPN ZTX458, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Courant de collecteur: 300mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Vebo: 5V...

0.91€

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ZTX649

Transistor NPN ZTX649, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 240 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.23V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 35V. Vebo: 5V...

2.61€

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ZTX653

Transistor NPN ZTX653, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 30pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 175 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat) 0.9V. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX753. Technologie: SILICON PLANAR. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

1.27€

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ZTX690B

Transistor NPN ZTX690B, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX790. Type de transistor: NPN...

1.31€

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ZTX851

Transistor NPN ZTX851, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 1.58W. FT: 130 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat)0.92V. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: SILICON PLANAR. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 6V...

1.29€

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BC108B

Transistor NPN BC108B, TO18. Boîtier: TO18. Courant de collecteur Ic [A]: 200mA. Fréquence: 150MHz. Polarité: bipolaire. Puissance: 600mW. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 25V. Type de transistor: NPN...

5.57€

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BU931T

Transistor NPN BU931T, TO220, TO220AB. Boîtier: TO220, TO220AB. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 10A. Montage/installation: THT. Polarité: bipolaire. Puissance: 175W. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 500V. Type de transistor: NPN...

3.82€

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2N2219A

Transistor NPN 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. C (in): 25pF. C (out): 8pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 800mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. FT: 300 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 250MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Marquage du fabricant: 2N2219A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 800mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension (collecteur - émetteur): 60V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

1.01€

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2N2222A

Transistor NPN 2N2222A, TO-18 ( TO-206 ), 600mA, 0.8A, TO-18, 40V. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. C (in): 25pF. C (out): 8pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 600mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. FT: 300 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Sw And Linear Application, DC And VHF Amplifier. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 250MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Marquage du fabricant: 2N2222A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Température maxi: +175°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.88€

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2N2369A

Transistor NPN 2N2369A, TO-18 ( TO-206 ), 200mA, 0.2A, TO-18, 40V. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. FT: 500 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Transistor de commutation. Fréquence de coupure ft [MHz]: 675 MHz. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 0.5A. Marquage du fabricant: 2N2369. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V...

2.77€

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2N3019

Transistor NPN 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. C (in): 60pF. C (out): 12pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Commutation à haute vitesse. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence: 100MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 50. Marquage du fabricant: 2N3019. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 800mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension (collecteur - émetteur): 140V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V...

0.81€

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2N3772

Transistor NPN 2N3772, TO-3 ( TO-204 ), 20A, 20A, TO-3, 100V. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 20A. Courant de collecteur: 20A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. FT: 0.2 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: -. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200kHz. Marquage du fabricant: 2N3772. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V...

3.12€

+12 rapidement
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2N3904

Transistor NPN 2N3904, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92, 40V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Bande passante MHz: 270MHz. Boîtier (norme JEDEC): -. C (in): 8pF. C (out): 4pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 200mA. Courant maximum 1: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Transistor de commutation. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE min.: 30. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: 2N3904. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Série: 2N. Technologie: 'Epitaxial Planar Die Construction'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension base / collecteur VCBO: 60V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tf(max): 75 ns. Transistor Darlington?: non. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Standard. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.0430€

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2N5551

Transistor NPN 2N5551, TO-92, 600mA, 0.6A, TO-92, 160V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (out): 6pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 600mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Ampli VIDEO.. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence: 100MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 80. Marquage du fabricant: 2N5551. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 160V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 6V...

0.0708€

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2SC2910

Transistor NPN 2SC2910, TO-92, 70mA, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. Courant de collecteur: 70mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. FT: 150 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: Commutation haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 140mA. Marquage du fabricant: 2SC2910. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1208. Température maxi: -.. Température: +150°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 5V...

4.22€

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2SD600K

Transistor NPN 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Dissipation de puissance maxi: 8W. FT: 130 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Fréquence: 130MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 8W. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB631K. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

4.39€

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2SD882

Transistor NPN 2SD882, TO-126 (TO-225, SOT-32), 3A, TO-126, 30 v. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (out): 45pF. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 3A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 90 MHz. Fonction: -. Fréquence: 90MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 7A. Marquage sur le boîtier: D882. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 10W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB772. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.86€

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BC107B

Transistor NPN BC107B, TO-18 ( TO-206 ), 100mA, 0.2A, TO-18, 45V. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. C (out): 4.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. FT: 150 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Marquage du fabricant: BC107B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V...

0.80€

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BC141-16

Transistor NPN BC141-16, TO-39 ( TO-205 ), 60V, 1A, 1A, TO39, 60V. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Bande passante MHz: 50MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. C (in): 80pF. C (out): 25pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Courant maximum 1: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: pour applications de moyenne puissance et de commutation. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 30. Gain hFE mini: 100. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC141-16. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.65W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC161-16. Série: BC. Température maxi: +175°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

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BC337-40

Transistor NPN BC337-40, TO-92, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 100MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. C (out): 12pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 800mA. Courant maximum 1: 0.8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE min.: 170. Gain hFE mini: 250. Gain hfe: 400. Ic(puls): 1A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC337-40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-40. Série: BC. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

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BC546B

Transistor NPN BC546B, TO-92, 65V, 100mA, 0.1A, TO-92, 65V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Bande passante MHz: 300MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. C (out): 6pF. Conditionnement: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA, 0.1A. Courant maximum 1: 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 0.2A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC546B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC556B. Série: BC. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 65V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Type de conditionnement: -. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

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