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2SC1841

2SC1841

Transistor NPN 2SC1841, 0.05A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 1200. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: C1841. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -...+125°C. Température: +125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.07V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

0.92€
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2SC1845

2SC1845

Transistor NPN 2SC1845, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Equivalences: KSC1845. FT: 110 MHz. Fonction: Amplificateur audio HI-FI. Gain hFE maxi: 580. Gain hFE mini: 150. Marquage sur le boîtier: C1845. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Samsung--0501-000354. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.07V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

0.90€
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2SC1846

2SC1846

Transistor NPN 2SC1846, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126B-A1, 35V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126B-A1. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. C (out): 20pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 5W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 340. Gain hFE mini: 85. Ic(puls): 1.5A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial planar type'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V...

3.35€
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2SC1855

2SC1855

Transistor NPN 2SC1855, TO-92, 20mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V...

0.73€
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2SC1875

2SC1875

Transistor NPN 2SC1875, TO-3, 3.5A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3.5A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: 2SC1875. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 500V...

3.61€
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2SC1881

2SC1881

Transistor NPN 2SC1881, TO-220AB, 3A. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: C1881. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V...

2.56€
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2SC1919

2SC1919

Transistor NPN 2SC1919, TO-92, 30mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

0.65€
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2SC1921

2SC1921

Transistor NPN 2SC1921, 0.05A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 130 MHz. Fonction: Sortie vidéo. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Triple Diffused'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

0.34€
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2SC2003

2SC2003

Transistor NPN 2SC2003, TO-92, 300mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.57€
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2SC2023

2SC2023

Transistor NPN 2SC2023, 2A, TO-220, TO-220, 300V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 6V...

4.99€
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2SC2058

2SC2058

Transistor NPN 2SC2058, TO-92, 50mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/25V...

0.33€
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2SC2060

2SC2060

Transistor NPN 2SC2060, D18/C, 700mA. Boîtier: D18/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 700mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V...

0.67€
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2SC2063

2SC2063

Transistor NPN 2SC2063, E-33, 50mA. Boîtier: E-33. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/25V...

0.49€
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2SC2073

2SC2073

Transistor NPN 2SC2073, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 4 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA940. Type de transistor: NPN...

1.61€
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2SC2210

2SC2210

Transistor NPN 2SC2210, TO-92, 30mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V...

0.57€
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2SC2236

2SC2236

Transistor NPN 2SC2236, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 900mW. FT: 120MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA966. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...

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2SC2240BL

2SC2240BL

Transistor NPN 2SC2240BL, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 350. Marquage sur le boîtier: C2240BL. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970BL. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Température: +125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

2.03€
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2SC2240GR

2SC2240GR

Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: C224GR. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970GR. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

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