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PMBT4401

Transistor NPN PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 250 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 0.8A. Marquage sur le boîtier: p2X, t2X, W2X. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS P2X, T2X, W2X, transistor complémentaire (paire) PMBT4401. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.75V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.0793€

Quantité en stock: 51

PN100

Transistor NPN PN100, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. C (out): 19pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: Amplificateur à usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hFE 80...450. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V...

0.17€

Quantité en stock: 123

PN100A

Transistor NPN PN100A, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: Amplificateur à usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hFE 240...600. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V...

0.18€

Quantité en stock: 111

PN2222A

Transistor NPN PN2222A, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 75pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 300 MHz. Fonction: Amplificateur à usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.0786€

Equivalence disponible
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PUMD2-R-P-R

Transistor NPN PUMD2-R-P-R, SOT-363, 100mA. Boîtier: SOT-363. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: paire de transistors NPN et PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Marquage du fabricant: D*2. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

0.81€

Quantité en stock: 5

RN1409

Transistor NPN RN1409, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Fonction: DTR.. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS XJ. Type de transistor: NPN...

2.18€

Quantité en stock: 1

S2000N

Transistor NPN S2000N, ITO-218, 8A. Boîtier: ITO-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Marquage du fabricant: S2000N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1.5 kV...

3.55€

Quantité en stock: 292

S2055N

Transistor NPN S2055N, 1500V, 8A, TO-247-T. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247-T. Applications: commutation. Diode intégrée: oui. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Type de transistor: Transistor de puissance...

1.50€

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S2055N-TOS

Transistor NPN S2055N-TOS, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. C (out): 9pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

3.20€

Quantité en stock: 19

S8050

Transistor NPN S8050, TO92. Boîtier: TO92. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 0.5A. Fréquence: 200MHz. Gain hfe: 85...400. Montage/installation: THT. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. RoHS: non. Tension (collecteur - émetteur): 25V, 40V. Type de conditionnement: -. Type de transistor: NPN...

0.32€

Quantité en stock: 1000

S9018

Transistor NPN S9018, TO92. Boîtier: TO92. Courant de collecteur Ic [A]: 50mA. Fréquence: 800MHz. Montage/installation: THT. Polarité: bipolaire. Puissance: 400mW. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 18V. Type de transistor: NPN...

0.63€

Quantité en stock: 500

SAP15N

Transistor NPN SAP15N, 15A, 160V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: NF/L, HI-FI Audio. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 5000...20000. Spec info: transistor complémentaire (paire) SAP15P. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

18.51€

Quantité en stock: 2

SAP15NY

Transistor NPN SAP15NY, 15A, 160V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: NF/L, HI-FI Audio. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 5000...20000. Spec info: transistor complémentaire (paire) SAP15P. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

23.04€

Quantité en stock: 2

SGSF461

Transistor NPN SGSF461, 15A, 400V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V...

11.53€

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SMBTA42GEGSMD

Transistor NPN SMBTA42GEGSMD, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Fréquence: 70MHz. Montage/installation: SMD. Polarité: bipolaire. Puissance: 360mW. RoHS: non. Tension (collecteur - émetteur): 4.87k Ohms. Type de transistor: NPN...

0.75€

Quantité en stock: 20

SS8050

Transistor NPN SS8050, TO92. Boîtier: TO92. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Fréquence: 100MHz. Montage/installation: THT. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 25V. Type de transistor: NPN...

0.35€

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SS8050-H

Transistor NPN SS8050-H, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Fréquence: 100MHz. Gain hfe: 200...350. Montage/installation: SMD. Polarité: bipolaire. Puissance: 300mW. Tension (collecteur - émetteur): 25V. Type de transistor: NPN...

0.27€

Quantité en stock: 500

SS8050C

Transistor NPN SS8050C, TO92. Boîtier: TO92. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Fréquence: 200MHz. Gain hfe: 120...200". Montage/installation: THT. Polarité: bipolaire. Puissance: 1W. RoHS: non. Tension (collecteur - émetteur): 25V, 40V. Type de conditionnement: -. Type de transistor: NPN...

1.26€

Quantité en stock: 10

SS8050CTA

Transistor NPN SS8050CTA, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (Ammo-Pack). Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 9pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 100 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: S8050 C. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: -. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 6V...

0.30€

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SS9013F

Transistor NPN SS9013F, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 28pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Gain hFE maxi: 135. Gain hFE mini: 96. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: excellente linéarité hFE. Tension de saturation VCE(sat): 0.16V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.17€

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Quantité en stock: 25

SS9014

Transistor NPN SS9014, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.45W. FT: 270 MHz. Fonction: usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

3.01€

Quantité en stock: 11

ST13005A

Transistor NPN ST13005A, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 8A. Marquage sur le boîtier: 13005A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

1.03€

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ST13007A

Transistor NPN ST13007A, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 16. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 13007A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

2.17€

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ST13009

Transistor NPN ST13009, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: hFE 15...28. Marquage sur le boîtier: ST13009L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 50. Spec info: ST13009L. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V...

1.75€

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