Rechercher "connecteur-alimentation-dc"

MMUN2211LT1G-R

Transistor NPN MMUN2211LT1G-R, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: A8A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

MMUN2215LT1G

Transistor NPN MMUN2215LT1G, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: A8E. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

MMUN2233LT1G

Transistor NPN MMUN2233LT1G, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.246W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: A8K. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

MN2488-MP1620

MPS-A42G

Transistor NPN MPS-A42G, TO-92, 500mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: MPSA42. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V...

MPSA06

Transistor NPN MPSA06, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 300pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100MHz. Fonction: -. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 10. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 4 v...

MPSA06G

Transistor NPN MPSA06G, TO-92, 500mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: MPSA06. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

MPSA13

Transistor NPN MPSA13, 0.5A, 30 v. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 10000. Gain hFE mini: 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor Darlington. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tf(min): 125 MHz. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 10V...

MPSA14

Transistor NPN MPSA14, TO-92, 500mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 125 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 10000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: transistor Darlington. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 10V...

MPSA18

Transistor NPN MPSA18, 45V, 0.2A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Applications: Audio. Fréquence maxi: 100 MHz. Gain hFE min.: 1000. Polarité: NPN. Type de transistor: transistor NPN...

MPSA44

Transistor NPN MPSA44, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Courant de collecteur: 0.3A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (ammo pak). Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Equivalences: KSP44, CMPSA44. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 400mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 750mV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Vebo: 6V...

MPSH10

Transistor NPN MPSH10, TO-92, 5mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 650 MHz. Marquage du fabricant: MPSH10. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V...

MPSW42

Transistor NPN MPSW42, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 50 MHz. Fonction: hFE 25...40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Type de transistor: NPN...

MPSW45A

Transistor NPN MPSW45A, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 100 MHz. Fonction: High hFE. Gain hFE maxi: 150000. Gain hFE mini: 25000. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vcbo: 60V. Vebo: 12V...

MUN2212

Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 338mW. FT: kHz. Fonction: transistor avec réseau de résistance de polarisation. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: 8B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: B1GBCFLL0035. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 8B. Technologie: Transistors numériques (BRT). Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

NJW3281

Transistor NPN NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Date de production: 201452 201512. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 30 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW1302. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

NTE130

Transistor NPN NTE130, 15A, 60V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 115W. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) NTE219. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

ON4998

Transistor NPN ON4998, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 34W. Fonction: Conçu pour Grundig. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

P2N2222AG

Transistor NPN P2N2222AG, TO-92, 600mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: P2N2222A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V...

PBSS4041NX

Transistor NPN PBSS4041NX, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 6.2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 130 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: 6F. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) PBSS4041PX. Spec info: sérigraphie/code CMS 6F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 35mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 320mV. Tf (type): 220 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

PDTC144ET

Transistor NPN PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: *08. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS P08/T08. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V...

PH2369

Transistor NPN PH2369, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: Transistor de commutation NPN. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 130.41594. Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V...

PMBT2369

Transistor NPN PMBT2369, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 500 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS P1J, T1J. Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V...

PMBT3904-215

Transistor NPN PMBT3904-215, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant de collecteur Ic [A]: 0.2A. Fréquence: 300MHz. Gain hfe: 30...300. Montage/installation: SMD. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Type de transistor: NPN...