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FJAF6810D

FJAF6810D

Transistor NPN FJAF6810D, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Conditionnement: tube en plastique. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: kHz. Fonction: 'High V Color Display Hor Defl (with Damper Diode)'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810D. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphié J6810D. RoHS: oui. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

3.41€
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Quantité en stock: 142
FJAF6812

FJAF6812

Transistor NPN FJAF6812, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Conditionnement: tube en plastique. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J6812. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphié J6812. RoHS: oui. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

3.68€
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FJL4315-O

FJL4315-O

Transistor NPN FJL4315-O, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Courant de collecteur: 17A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: J4315O. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) FJL4215-O. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

5.95€
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FJL6820

FJL6820

Transistor NPN FJL6820, 20A, TO-247, TO-247, 750V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Moniteur 19 pouces. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: VEBO 6V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

28.80€
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FJL6920

FJL6920

Transistor NPN FJL6920, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 25. Vcbo: 1700V. Vebo: 6V...

8.21€
Quantité en stock: 32
FJN3302R

FJN3302R

Transistor NPN FJN3302R, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. FT: 250 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 300mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V...

0.49€
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FJP13007

FJP13007

Transistor NPN FJP13007, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 110pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

1.85€
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FJP13007H1

FJP13007H1

Transistor NPN FJP13007H1, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 110pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-1. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

1.86€
Quantité en stock: 139
FJP13007H2

FJP13007H2

Transistor NPN FJP13007H2, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 110pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 39. Gain hFE mini: 26. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-2. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

1.77€
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Quantité en stock: 58
FJP13009

FJP13009

Transistor NPN FJP13009, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 180pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 17. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

2.39€
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FJP13009H2

FJP13009H2

Transistor NPN FJP13009H2, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 180pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009-2. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

2.74€
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FMMT619

FMMT619

Transistor NPN FMMT619, SOT-23, 2A. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 165 MHz. Marquage du fabricant: 619. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

0.70€
Quantité en stock: 1175
FN1016

FN1016

Transistor NPN FN1016, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Dissipation de puissance maxi: 70W. FT: 80 MHz. Fonction: hFE 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) FP1016. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

4.58€
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FZT458TA

FZT458TA

Transistor NPN FZT458TA, SOT-223, 0.3A. Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.3A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: FZT458. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V...

2.50€
Quantité en stock: 1566
FZT849

FZT849

Transistor NPN FZT849, SOT-223, 7A. Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: FZT849. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

1.77€
Quantité en stock: 907
HSCF4242

HSCF4242

Transistor NPN HSCF4242, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 47. Gain hFE mini: 29. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Vebo: 10V...

1.13€
Quantité en stock: 850
HSD1609-D

HSD1609-D

Transistor NPN HSD1609-D, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Fonction: hFE 160...320. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) HSB1109. Type de transistor: NPN...

0.52€
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Quantité en stock: 176
KSC1507-O

KSC1507-O

Transistor NPN KSC1507-O, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 80 MHz. Fonction: Sortie couleur TV Chroma (VID-L). Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: C1507 O. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 7V...

2.39€
Quantité en stock: 11
KSC1507-Y

KSC1507-Y

Transistor NPN KSC1507-Y, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 80 MHz. Fonction: Sortie couleur TV Chroma (VID-L). Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: C1507 Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 7V...

2.64€
Quantité en stock: 5