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BUX48A

BUX48A

Transistor NPN BUX48A, TO-3, 15A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 175W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BUX48A. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 175W. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension (collecteur - émetteur): 450V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Type de transistor: NPN...

20.72€
Quantité en stock: 91
BUX85

BUX85

Transistor NPN BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 4 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fonction: S-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 3A. Marquage du fabricant: BUX85G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 40W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 1kV. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

1.05€
+115 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 74
BUX87P

BUX87P

Transistor NPN BUX87P, TO-126, 500mA. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): SOT-82. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BUX87P. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V...

2.36€
Quantité en stock: 196
BUY18S

BUY18S

Transistor NPN BUY18S, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 25 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Température: +200°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V...

3.19€
Quantité en stock: 138
D44H11

D44H11

Transistor NPN D44H11, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 130pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 50W. Equivalences: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. FT: 50 MHz. Fonction: -. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: D44H11. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45H11. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

1.83€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 190
D44H11G

D44H11G

Transistor NPN D44H11G, TO-220, 10A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: D44H11G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

2.95€
Quantité en stock: 174
D44H8

D44H8

Transistor NPN D44H8, TO-220, 10A, 10A, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. C (out): 90pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: -. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: D44H8. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45H8. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN...

1.61€
+2 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 99
D44H8G

D44H8G

Transistor NPN D44H8G, TO-220, 10A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: D44H8G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V...

1.77€
Quantité en stock: 100
D44VH10

D44VH10

Transistor NPN D44VH10, 15A, TO-220, TO-220AC, 80V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 83W. FT: 50 MHz. Fonction: S-L, Low-sat. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45VH10. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Tf(max): 90 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

1.90€
Quantité en stock: 24
DTC114EK

DTC114EK

Transistor NPN DTC114EK, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SC-59. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. FT: 250 MHz. Fonction: DTR.. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 24. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Puissance: 0.2W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 10k Ohms. Spec info: sérigraphie/code CMS 24. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

0.16€
Quantité en stock: 163
DTC143TT

DTC143TT

Transistor NPN DTC143TT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: *33, P33, t33, w33. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 33. RoHS: oui. Résistance B: 4.7k Ohms. Résistance BE: -. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0612€
Quantité en stock: 2782
Minimum: 10
DTC143ZT

DTC143ZT

Transistor NPN DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Date de production: 2014/49. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: kHz. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 18. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V...

0.0597€
Quantité en stock: 2280
Minimum: 10
DTC144EK

DTC144EK

Transistor NPN DTC144EK, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Courant de collecteur: 0.03A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Marquage sur le boîtier: 26. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Résistance B: 47k Ohms. Résistance BE: 47k Ohms. Spec info: sérigraphie/code CMS 26. Type de transistor: NPN...

0.38€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 94
ESM6045DVPBF

ESM6045DVPBF

Transistor NPN ESM6045DVPBF, ISOTOP, 84A. Boîtier: ISOTOP. Courant de collecteur Ic [A], max.: 84A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: Vissé. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: ESM6045DV. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V...

108.94€
Quantité en stock: 20
FJAF6810

FJAF6810

Transistor NPN FJAF6810, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphié J6810. RoHS: oui. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

17.06€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 12
FJAF6810A

FJAF6810A

Transistor NPN FJAF6810A, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: commutation rapide. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tf (type): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Vebo: 6V...

1.26€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 760