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2SC3467

2SC3467

Transistor NPN 2SC3467, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SC-51 ( MP ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (out): 1.7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Fonction: Video, Hi-def. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: C3467. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hauteur 9mm. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Vebo: 5V...

2.21€
Quantité en stock: 10
2SC3503

2SC3503

Transistor NPN 2SC3503, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 2.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 7W. FT: 150 MHz. Fonction: Amplificateur de tension audio, définition CRT, sortie vidéo. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: C3503-D. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1381. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V...

1.16€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 47
2SC3519A

2SC3519A

Transistor NPN 2SC3519A, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO3P-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. C (out): 250pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 130W. FT: 50 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 50. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1386A. Technologie: Transistor planaire épitaxial NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 5V...

8.69€
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Quantité en stock: 10
2SC3795A

2SC3795A

Transistor NPN 2SC3795A, 5A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 550V. C (in): 4pF. C (out): 10pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V...

2.69€
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Quantité en stock: 7
2SC3852

2SC3852

Transistor NPN 2SC3852, 3A, TO-220FP, MF20 TO220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): MF20 TO220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 15 MHz. Fonction: pilote pour solénoïde et moteur. Gain hFE mini: 500. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

1.99€
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Quantité en stock: 18
2SC4382

2SC4382

Transistor NPN 2SC4382, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (out): 35pF. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 15 MHz. Fonction: Transistor NPN haute tension pour applications audio et à usage général.. Gain hFE mini: 60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1668. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 200V. Vebo: 6V...

2.60€
Quantité en stock: 38
2SC4495

2SC4495

Transistor NPN 2SC4495, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 30pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 40 MHz. Fonction: High hFE, LOW Vce(sat). Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Transistor planaire triple diffusion NPN. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V...

6.51€
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Quantité en stock: 5
2SC4614T-AN

2SC4614T-AN

Transistor NPN 2SC4614T-AN, 1.5A, SC-71, SC-71, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SC-71. Boîtier (selon fiche technique): SC-71. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 14pF. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 2.5A. Marquage sur le boîtier: 12.9k Ohms. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1770. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Tf(max): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 2500. Vcbo: 180V. Vebo: 6V...

2.13€
Quantité en stock: 69
2SC4672C6Q

2SC4672C6Q

Transistor NPN 2SC4672C6Q, 2A, SOT-89, 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 25pF. Diode BE: non. Diode CE: non. FT: 210 MHz. Fonction: Io-sat. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: DK. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS DK. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1797. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

1.29€
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Quantité en stock: 31
2SC4793

2SC4793

Transistor NPN 2SC4793, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10R1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. C (out): 20pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1837. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Vebo: 5V...

1.85€
Quantité en stock: 14
2SC5198-TOS

2SC5198-TOS

Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. C (out): 170pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 30 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: C5198 O. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1941. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 5V...

3.07€
Quantité en stock: 138
2SC5200

2SC5200

Transistor NPN 2SC5200, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. C (out): 200pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 30 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: C5200 (Q). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1943. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Vebo: 5V...

7.39€
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2SC5242

2SC5242

Transistor NPN 2SC5242, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 130W. FT: 30 MHz. Fonction: HI-FI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 5. Marquage sur le boîtier: C5242. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1962. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 230V...

2.56€
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2SC5411-TOS

2SC5411-TOS

Transistor NPN 2SC5411-TOS, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (out): 190pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: 2 MHz. Fonction: HA, Hi-res. Ic(puls): 28A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: fH--64KHz. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tf (type): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

4.73€
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2SC6082

2SC6082

Transistor NPN 2SC6082, 15A, TO-220, TO-220F-3SG, 50V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3SG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 85pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 23W. FT: 195 MHz. Fonction: pilotes de relais, pilotes de lampes, pilotes de moteurs. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: C6082. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2210. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

3.72€
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2SC945

2SC945

Transistor NPN 2SC945, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Brochage: 1. C (out): 2.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V...

2.16€
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2SD1047

2SD1047

Transistor NPN 2SD1047, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. C (out): 120pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 15 MHz. Fonction: amplificateurs de puissance audio, convertisseurs DC-DC. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB817. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 6V...

2.38€
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2SD110

2SD110

Transistor NPN 2SD110, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. C (out): 200pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 1 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 130V. Vebo: 10V...

3.76€
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2SD1207

2SD1207

Transistor NPN 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 4A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB892. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.81€
Quantité en stock: 12
2SD1802

2SD1802

Transistor NPN 2SD1802, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 25pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation à haute intensité. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1202. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.78€
Quantité en stock: 7
2SD2012

2SD2012

Transistor NPN 2SD2012, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10R1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): -. Marquage sur le boîtier: D2012. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1366. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 7V...

1.73€
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2SD2396

2SD2396

Transistor NPN 2SD2396, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 55pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 30W. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

2.20€
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2SD2499

2SD2499

Transistor NPN 2SD2499, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (out): 95pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: 40 Ohms. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

3.24€
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