Rechercher "7-00-HC49"

KTC388A

Transistor NPN KTC388A, TO-92, TO-92. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. C (out): 0.8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

MMUN2233LT1G

Transistor NPN MMUN2233LT1G, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.246W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: A8K. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

MPSA14

Transistor NPN MPSA14, TO-92, 500mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 125 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 10000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: transistor Darlington. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 10V...

ON4283

Transistor NPN ON4283. C (out): 135pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1...

ON4998

Transistor NPN ON4998, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 34W. Fonction: Conçu pour Grundig. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

UN2213

Transistor NPN UN2213, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Fonction: INFI->PANAS. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

ZTX690B

Transistor NPN ZTX690B, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX790. Type de transistor: NPN...

2SC5706-E

Transistor NPN 2SC5706-E, TO-251, 7.5A. Boîtier: TO-251. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7.5A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 15W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 400 MHz. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

2SC1577

Transistor NPN 2SC1577, 8A, 400V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 7 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V...

BLX68

Transistor NPN BLX68, 1A, 36V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 36V. Dissipation de puissance maxi: 7.8W. FT: 470 MHz. Fonction: UHF-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

2SC5129

Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 1.7 MHz. Fonction: MONITOR HA,Hi-res. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: C5129. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: temps de descente 0.15..03us (64kHz). Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

2SC5386

Transistor NPN 2SC5386, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 1.7 MHz. Fonction: High Switching, Horizontal Deflection out. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 4.3. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: MONITOR Hi-res. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

2SC5698

Transistor NPN 2SC5698, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: kHz. Fonction: haute vitesse, CTV-HA. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5698. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

2SC5706FA

Transistor NPN 2SC5706FA, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 400 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 7.5A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2039. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.135V. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

2SC5793

Transistor NPN 2SC5793, 20A, 800V. Courant de collecteur: 20A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Fonction: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V...

BFG135

Transistor NPN BFG135, 150mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 7GHz. Fonction: Transistor large bande VHF/UHF-A 7 GHz. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 80. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 2V...

BU2720AX

Transistor NPN BU2720AX, 10A, 825V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 825V. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: MONITOR. Spec info: 7.4us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V...

BU4508DF

Transistor NPN BU4508DF, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: CTV-HA/Monitor. Gain hFE maxi: 7.3. Gain hFE mini: 4.2. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Rbe 25 Ohms. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 13.5V...

BUH1015HI

MD1803DFX

Transistor NPN MD1803DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. C (out): 0.55pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 57W. Fonction: Transistor haute tension pour CRT à définition standard. Gain hFE maxi: 7.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: -. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 10V...

MD2001FX

Transistor NPN MD2001FX, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): TO-218-FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 58W. FT: kHz. Fonction: FAST-SWITCH. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 4.5. Ic(puls): 18A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 9V...

BU2725DX

Transistor NPN BU2725DX, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 1700V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1700V. Dissipation de puissance maxi: 45W. FT: kHz. Fonction: MONITOR 16KHz. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Transistor de puissance. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.14us. Type de transistor: NPN. Vebo: 7.5V...