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BU508AF

Transistor NPN BU508AF, ITO-218, 8A. Boîtier: ITO-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): SOT-199. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 34W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BU508AF. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 700V...

BU508AFI

Transistor NPN BU508AFI, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 34W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU508DF-INC

Transistor NPN BU508DF-INC, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 34W. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BU508DFI

Transistor NPN BU508DFI, ISOWATT-218, 8A. Boîtier: ISOWATT-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 7 MHz. Marquage du fabricant: BU508DFI. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 700V...

BU536

Transistor NPN BU536, 8A, 480V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 480V. Dissipation de puissance maxi: 62W. Fonction: TV-SN. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V...

BU607

Transistor NPN BU607, TO-3, 7A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/200V...

BU607D

Transistor NPN BU607D, TO-3, 7A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/ 200V...

BU808DFH

Transistor NPN BU808DFH, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-220FH. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V...

BU808DFX

BU808DFX-PMC

Transistor NPN BU808DFX-PMC, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 62W. Fonction: hFE 60...230, boîtier plastique isolé. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Résistance BE: 260 Ohms. Spec info: temps de descente 0.8us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V...

BU941ZP

Transistor NPN BU941ZP, TO-247, 15A. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 155W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BU941ZP. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 350V...

BU941ZPFI

Transistor NPN BU941ZPFI, 15A, 400V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: >300. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V...

BUB323ZG

Transistor NPN BUB323ZG, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Fonction: temps de descente 625ns. Gain hFE maxi: 3400. Gain hFE mini: 500. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: 360-450V Clamping. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

BUD87

Transistor NPN BUD87, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 20 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: HV-POWER. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUF420AW

Transistor NPN BUF420AW, 30A, TO-247, TO-247, 450V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: kHz. Ic(puls): 60A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension. Technologie: 'High Voltage Multi Epitaxial Planar technology'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 7V...

BUH1015HI

BUH1215

BUH315

Transistor NPN BUH315, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: 'Hi-res'. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BUH315D

Transistor NPN BUH315D, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 44W. FT: kHz. Fonction: 'Hi-res'. Gain hFE maxi: 9. Gain hFE mini: 2.5. Ic(puls): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 10V...

BUH517-ST

Transistor NPN BUH517-ST, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: ISOWATT218. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: 'Hi-res'. Gain hFE maxi: 6. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tf (type): 190 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 10V...

BUH715D

Transistor NPN BUH715D, 10A, 700V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 57W. Fonction: 'Hi-res'. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: MONITOR. Spec info: Ts 2.1/3.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BUL128D-B

Transistor NPN BUL128D-B, 4A, 400V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: haute tension, commutation rapide. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-220. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tf (type): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V...

BUL312FP

Transistor NPN BUL312FP, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 36W. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 13.5. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Vebo: 9V...

BUL38D

Transistor NPN BUL38D, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: SMPS S-L. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: commutation rapide. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.1V. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Vebo: 9V...