Rechercher "connecteur-alimentation-dc"

Nous vous proposons une sélection de 1000+ produits pouvant correspondre à votre recherche de "connecteur-alimentation-dc" (Transistors bipolaires NPN)

BFR96TS

BFR96TS

Transistor NPN BFR96TS, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-37 ( TO-50 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-37 ( TO-50 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Dissipation de puissance maxi: 700W. FT: 5GHz. Fonction: Amplificateur RF jusqu'à la gamme GHz pour amplificateur d'antenne.. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 25. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Planar RF Transistor'. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V...

2.22€
Quantité en stock: 76
BFS17A

BFS17A

Transistor NPN BFS17A, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 2.8GHz. Fonction: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50mA. Marquage sur le boîtier: E2. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 2.5V...

0.13€
Quantité en stock: 2554
Minimum: 5
BFS20

BFS20

Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Dissipation de puissance maxi: 200mW. FT: 450 MHz. Fonction: 'IF and VHF thick and thin-film circuit'. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 25mA. Marquage sur le boîtier: G1*. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS G1p, G1t, G1W. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v...

0.0780€
+2164 rapidement
Quantité en stock: 193
Minimum: 10
BFU590GX

BFU590GX

Transistor NPN BFU590GX, SOT-223, 200mA. Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8.5GHz. Marquage du fabricant: BFU590G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 24V...

2.82€
Quantité en stock: 15
BFV420

BFV420

Transistor NPN BFV420, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. FT: 150 MHz. Fonction: transistor haute tension. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BFV421. Type de transistor: NPN...

0.28€
Quantité en stock: 180
BFW30

BFW30

Transistor NPN BFW30, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-72. Boîtier (selon fiche technique): TO-72. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 1.6GHz. Fonction: VHF-UHF-A. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 100mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V...

1.40€
Dernières pièces disponibles
Quantité en stock: 9
BFY34

BFY34

Transistor NPN BFY34, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 75V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. FT: 80 MHz. Fonction: NF/HF/S. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de transistor: NPN...

0.56€
Quantité en stock: 29
BSP52T1GDARL

BSP52T1GDARL

Transistor NPN BSP52T1GDARL, SOT-223, 500mA. Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-261AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: AS3. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.68€
Quantité en stock: 1061
BSR14

BSR14

Transistor NPN BSR14, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. FT: 350 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Marquage sur le boîtier: U8. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS U8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tf (type): 60 ns. Tr: 25 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.0559€
Quantité en stock: 1534
Minimum: 10
BSR14-FAI

BSR14-FAI

Transistor NPN BSR14-FAI, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: U8. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V...

0.12€
Quantité en stock: 503
Minimum: 10
BSR14-NXP

BSR14-NXP

Transistor NPN BSR14-NXP, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: U8. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V...

0.24€
Quantité en stock: 286
BSR43TA

BSR43TA

Transistor NPN BSR43TA, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (in): 90pF. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 100 MHz. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: AR4. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS AR4. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tf (type): 1000 ns. Tr: 250 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 90V. Vebo: 5V...

0.47€
Quantité en stock: 589
BSR51

BSR51

Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( SOT-54 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.87€
Quantité en stock: 19
BSV52

BSV52

Transistor NPN BSV52, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Courant de collecteur: 250mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Dissipation de puissance maxi: 0.225mW. FT: 400 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 25. Marquage sur le boîtier: B2. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS B2. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V...

0.0865€
Quantité en stock: 2367
Minimum: 10
BU1508DX

BU1508DX

Transistor NPN BU1508DX, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 35W. FT: kHz. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Transistor de puissance. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 13.5V...

3.33€
Quantité en stock: 27