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BD139-CDIL

BD139-CDIL

Transistor NPN BD139-CDIL, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 plastic. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.23€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 88
BD159

BD159

Transistor NPN BD159, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO126, 375V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 375V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

0.46€
Quantité en stock: 178
BD179G

BD179G

Transistor NPN BD179G, TO-225, 3mA. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.03W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Marquage du fabricant: BD179G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.54€
Quantité en stock: 337
BD237-CDIL

BD237-CDIL

Transistor NPN BD237-CDIL, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD238. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V...

0.44€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 76
BD237G

BD237G

Transistor NPN BD237G, TO-225, 2A. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Marquage du fabricant: BD237G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.52€
Quantité en stock: 222
BD241C-ST

BD241C-ST

Transistor NPN BD241C-ST, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 5A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 115V. Vebo: 5V...

0.58€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 247
BD243C

BD243C

Transistor NPN BD243C, 100V, TO-220., 6A, 6A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO-220.. Courant de collecteur: 6A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD243C. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 65W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Type de transistor: transistor de puissance NPN...

1.77€
+3333 rapidement
Quantité en stock: 2234
BD243C-CDIL

BD243C-CDIL

Transistor NPN BD243C-CDIL, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V...

0.82€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 133
BD243C-FAI

BD243C-FAI

Transistor NPN BD243C-FAI, TO-220AB, 6A. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD243C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V...

1.77€
Quantité en stock: 310
BD243C-STM

BD243C-STM

Transistor NPN BD243C-STM, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V...

1.83€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 59
BD243CG

BD243CG

Transistor NPN BD243CG, TO-220, 100V, 6A, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Bande passante MHz: 3MHz. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 6A. Courant maximum 1: 6A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Fréquence maxi: 3MHz. Fréquence: 3MHz. Gain hFE min.: 15. Ic(puls): 10A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 65W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Série: BD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V...

1.75€
+433 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 64
BD245C-CDIL

BD245C-CDIL

Transistor NPN BD245C-CDIL, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD246C. Type de transistor: NPN...

1.92€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 28
BD249C

BD249C

Transistor NPN BD249C, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 40A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD250C. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

2.64€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 64
BD249C-PMC

BD249C-PMC

Transistor NPN BD249C-PMC, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Dissipation de puissance maxi: 125W. FT: 3 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD250C. Type de transistor: NPN...

2.88€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 67
BD433-TFK

BD433-TFK

Transistor NPN BD433-TFK, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 22V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 22V. Dissipation de puissance maxi: 36W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

0.38€
Quantité en stock: 189
BD439

BD439

Transistor NPN BD439, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): SOT-32. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 36W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 7A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD440. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V...

0.80€
Quantité en stock: 230
BD441G

BD441G

Transistor NPN BD441G, 80V, TO-126F, 4A, 4A, TO-126F, 80V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Boîtier: TO-126F. Courant de collecteur: 4A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 36W. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Fréquence maxi: 3MHz. Marquage du fabricant: BD441G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: boîtier isolé. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Type de transistor: NPN...

0.72€
+485 rapidement
Quantité en stock: 23
BD649

BD649

Transistor NPN BD649, TO-220AB, 8A. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 62.5W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD649. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V...

1.17€
Quantité en stock: 73