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BC639-16-CDIL

Transistor NPN BC639-16-CDIL, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

BC639-16D27Z

Transistor NPN BC639-16D27Z, TO-92, 1A. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BC639-16. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

BC639-16D74Z

Transistor NPN BC639-16D74Z, TO-92, 1A. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BC639-16. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

BC63916_D74Z

Transistor NPN BC63916_D74Z, 100V, 1A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Fréquence maxi: 100MHz. Polarité: NPN. Puissance: 0.8W. Type de transistor: transistor NPN...

BC817-16

Transistor NPN BC817-16, SOT-23 ( TO-236 ), 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 170 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6As. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 6As. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

BC817-16-NXP

Transistor NPN BC817-16-NXP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 6A. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

BC817-25

Transistor NPN BC817-25, SOT-23 ( TO-236 ), 0.5A, SOT-23-3, 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 3pF. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Fréquence: 200MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 6B. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

BC817-25-6B

Transistor NPN BC817-25-6B, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

BC817-25LT1G-6B

Transistor NPN BC817-25LT1G-6B, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

BC817-40-6C

Transistor NPN BC817-40-6C, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

BC817-40-NXP

Transistor NPN BC817-40-NXP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 6C. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

BC817-40LT1G-6C

Transistor NPN BC817-40LT1G-6C, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

BC818-40-6G

Transistor NPN BC818-40-6G, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

BC818-40LT1G-6G

Transistor NPN BC818-40LT1G-6G, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V...

BC846B-1B

Transistor NPN BC846B-1B, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: 1B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V...

BC846BLT1G-1B

Transistor NPN BC846BLT1G-1B, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V...

BC846BPBF-1B

Transistor NPN BC846BPBF-1B, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V...

BC846BW-1B

Transistor NPN BC846BW-1B, SC-70, 100mA. Boîtier: SC-70. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V...

BC846C

Transistor NPN BC846C, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 65V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Marquage sur le boîtier: 8AC. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 8AC. Tension de saturation VCE(sat): 250mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 600mV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

BC847A

Transistor NPN BC847A, SOT-23 ( TO-236 ), 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 1.5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 110. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 1E. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1E. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

BC847B-1F

Transistor NPN BC847B-1F, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: 1F. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

BC847B-215

Transistor NPN BC847B-215, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

BC847BLT1G-1F

Transistor NPN BC847BLT1G-1F, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1F. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

BC847BPN