2N3019
Transistor NPN 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. C (in): 60pF. C (out): 12pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Commutation à haute vitesse. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence: 100MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 50. Marquage du fabricant: 2N3019. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 800mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension (collecteur - émetteur): 140V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V...
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