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BC237B

BC237B

Transistor NPN BC237B, TO-92, 0.1A, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 250 MHz. Gain hfe: 200...460. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: bipolaire. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: BC237/25. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Type de transistor: NPN...

0.0846€
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Equivalence disponible
Quantité en stock: 11
Minimum: 10
BC237BG

BC237BG

Transistor NPN BC237BG, TO-92, 100mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Marquage du fabricant: BC237BG. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.27€
Quantité en stock: 1115
BC337-25

BC337-25

Transistor NPN BC337-25, TO-92, 0.8A, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 800mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 210 MHz. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 250. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-25. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0552€
+3309 rapidement
Quantité en stock: 1851
Minimum: 10
BC337-25BULK

BC337-25BULK

Transistor NPN BC337-25BULK, TO-92, 800mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BC337-25. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.0592€
Quantité en stock: 3264
Minimum: 10
BC337-25RL1G

BC337-25RL1G

Transistor NPN BC337-25RL1G, TO-92, 800mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 210 MHz. Marquage du fabricant: BC337-25. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.14€
Quantité en stock: 2492
Minimum: 5
BC337-25TAPE

BC337-25TAPE

Transistor NPN BC337-25TAPE, TO-92, 800mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BC337-25. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.0829€
Quantité en stock: 3952
Minimum: 10
BC337-40G

BC337-40G

Transistor NPN BC337-40G, TO-92, 800mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 210 MHz. Marquage du fabricant: BC337-40. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.18€
Quantité en stock: 2311
BC33716

BC33716

Transistor NPN BC33716, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-16. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0620€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1872
Minimum: 10
BC33725

BC33725

Transistor NPN BC33725, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-25. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0502€
Quantité en stock: 3076
Minimum: 10
BC33740

BC33740

Transistor NPN BC33740, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo-Pack. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-40. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0491€
Quantité en stock: 3312
Minimum: 10
BC368

BC368

Transistor NPN BC368, TO-92, 1A, TO-92, 20V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 40pF. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 40 MHz. Fréquence: 65MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 63. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 800mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN...

0.17€
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Equivalence disponible
Quantité en stock: 53
BC368-PHI

BC368-PHI

Transistor NPN BC368-PHI, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 375. Gain hFE mini: 85. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC369. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 32V. Vebo: 5V...

0.11€
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Quantité en stock: 1945
Minimum: 5
BC373

BC373

Transistor NPN BC373, 1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 160000. Gain hFE mini: 8000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: VEBO 12V. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V...

0.25€
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BC414C

BC414C

Transistor NPN BC414C, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de transistor: NPN...

0.0727€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 153
Minimum: 10
BC517

BC517

Transistor NPN BC517, TO-92, 1A, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Courant de collecteur Ic [A]: 400mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 200MHz. Gain hFE mini: 30000. Gain hfe: 30k. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC516. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: transistor Darlington. Vcbo: 40V. Vebo: 10V...

0.16€
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Quantité en stock: 875
BC517-D74Z

BC517-D74Z

Transistor NPN BC517-D74Z, TO-92, 1.2A. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.2A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BC517. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

0.38€
Quantité en stock: 1141
BC517G

BC517G

Transistor NPN BC517G, TO-92, 1A. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Marquage du fabricant: BC517. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

0.82€
Quantité en stock: 548
BC517_D74Z

BC517_D74Z

Transistor NPN BC517_D74Z, 30V, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 200MHz. Gain hFE mini: 30000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC516. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Type: transistor Darlington. Vcbo: 40V. Vebo: 10V...

0.34€
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Quantité en stock: 386
BC546A

BC546A

Transistor NPN BC546A, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Conditionnement: -. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 90. Ic(puls): 0.2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC556A. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 2000. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

0.0303€
Quantité en stock: 12603
Minimum: 10
BC546BG

BC546BG

Transistor NPN BC546BG, 80V, TO-92, 0.2A, 100mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.2A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: BC546B. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 0.5W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Type de transistor: transistor NPN...

0.21€
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Quantité en stock: 11264