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2SD2390

2SD2390

Transistor NPN 2SD2390, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1560. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V...

3.63€
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Quantité en stock: 2
2SD2390-SKN

2SD2390-SKN

Transistor NPN 2SD2390-SKN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( MT-100 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Gain hFE mini: 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1560. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

5.67€
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Quantité en stock: 25
2SD2391

2SD2391

Transistor NPN 2SD2391, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 210 MHz. Fonction: S Io-sat. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS DT. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1561. Type de transistor: NPN...

0.76€
Produit obsolète
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2SD2394

2SD2394

Transistor NPN 2SD2394, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 8 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 6A. Marquage sur le boîtier: D2394. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 7V...

1.95€
Quantité en stock: 452
2SD2396

2SD2396

Transistor NPN 2SD2396, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 55pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 30W. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

2.20€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 102
2SD2401-SKN

2SD2401-SKN

Transistor NPN 2SD2401-SKN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 150V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: hFE 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1588. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V...

25.33€
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2SD2439

2SD2439

Transistor NPN 2SD2439, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Dissipation de puissance maxi: 70W. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1588. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

2.59€
Quantité en stock: 39
2SD2499

2SD2499

Transistor NPN 2SD2499, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (out): 95pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: 40 Ohms. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

3.24€
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2SD2499-PMC

2SD2499-PMC

Transistor NPN 2SD2499-PMC, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (out): 95pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: 40 Ohms. Spec info: Rbe 40 Ohms. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

2.99€
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2SD2589

2SD2589

Transistor NPN 2SD2589, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 60 MHz. Fonction: TO-220. Gain hFE maxi: 12000. Gain hFE mini: 5000. Marquage sur le boîtier: D2589. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1659. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 110V...

8.88€
Quantité en stock: 2
2SD330

2SD330

Transistor NPN 2SD330, TO-220, 2A, 2A, 50V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. FT: 8 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: -. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Ic(puls): 5A. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

0.83€
Quantité en stock: 7
2SD350

2SD350

Transistor NPN 2SD350, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: TV-HA. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 3. Ic(puls): 7A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation maxi VCE(sat): 5V. Tf(max): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

2.44€
Quantité en stock: 1
2SD401

2SD401

Transistor NPN 2SD401, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 3A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Vebo: 5V...

0.90€
Quantité en stock: 26
2SD414

2SD414

Transistor NPN 2SD414, TO-126, 800mA. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/80V...

1.23€
Quantité en stock: 3
2SD5072

2SD5072

Transistor NPN 2SD5072, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: 'Hi-res'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

1.76€
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2SD601

2SD601

Transistor NPN 2SD601, TO-236, 100mA. Boîtier: TO-236. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V...

0.27€
Quantité en stock: 10
2SD655

2SD655

Transistor NPN 2SD655, TO-92, 700mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 700mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/15V...

0.23€
Quantité en stock: 2
2SD667

2SD667

Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 140 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: D667. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 9mm. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB647. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

1.00€
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