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2SD1457

2SD1457

Transistor NPN 2SD1457, M37/J, 6A. Boîtier: M37/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V...

4.74€
Quantité en stock: 1
2SD1546

2SD1546

Transistor NPN 2SD1546, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: 'CTV-HA' (isolé). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

1.93€
Quantité en stock: 14
2SD1556-PMC

2SD1556-PMC

Transistor NPN 2SD1556-PMC, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.46€
Quantité en stock: 46
2SD1577

2SD1577

Transistor NPN 2SD1577, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 2 MHz. Gain hFE maxi: 15. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 17A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tf(max): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 6V...

2.83€
Quantité en stock: 15
2SD1623S

2SD1623S

Transistor NPN 2SD1623S, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Ic(puls): 4A. Marquage sur le boîtier: DF. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1123S. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS DF. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

1.14€
Quantité en stock: 57
2SD1623T

2SD1623T

Transistor NPN 2SD1623T, 2A, 60V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 200...400. Spec info: sérigraphie/code CMS DF, transistor complémentaire (paire) 2SB1123T. Type de transistor: NPN...

1.20€
Quantité en stock: 100
2SD1624S

2SD1624S

Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Ic(puls): 6A. Marquage sur le boîtier: DG. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS DG. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistors'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.91€
Quantité en stock: 56
2SD1626

2SD1626

Transistor NPN 2SD1626, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO PCP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. FT: 120 MHz. Fonction: courant continu élevé, pilotes de relais, pilotes de lampe. Gain hFE maxi: 4000. Gain hFE mini: 3000. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: DI. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS DI, transistor complémentaire (paire) 2SB1126. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 10V...

1.38€
Quantité en stock: 52
2SD1628E

2SD1628E

Transistor NPN 2SD1628E, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 120 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS DK, hFE 120...200. Type de transistor: NPN...

2.63€
Quantité en stock: 46
2SD1628F

2SD1628F

Transistor NPN 2SD1628F, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 120 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 180. Id(imp): 8A. Marquage sur le boîtier: DK. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS DK. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V...

2.04€
Quantité en stock: 87
2SD1651

2SD1651

Transistor NPN 2SD1651, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

1.92€
Quantité en stock: 19
2SD1664Q

2SD1664Q

Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: transistor bipolaire. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: DAQ. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS DAQ. Technologie: 'Epitaxial planar type'. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 1000. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.43€
Quantité en stock: 850
2SD1668

2SD1668

Transistor NPN 2SD1668, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 30W. FT: 10 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Id(imp): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1135. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

3.40€
Quantité en stock: 47
2SD1669

2SD1669

Transistor NPN 2SD1669, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 30W. FT: 10 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Id(imp): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1136. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

4.59€
Quantité en stock: 13