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BAR43A

BAS85-GS08

BAT42

BAT43

BAT54

BAT54C

BAS85

Diode BAS85, 12.7k Ohms, 0.2A, 4A, SOD-80C, 30 v. Boîtier: 12.7k Ohms. IF(AV): 0.2A. IFSM: 4A. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Courant d'impulsion max.: 5A. Courant: 200mA. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Fonction: Diodes à barrière Schottky à commutation rapide en verre. IRM (max): 2uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de conduction (tension de seuil): 0.8V. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V. Tension de seuil: 320mV. Tension inverse maxi: 30V. Trr Diode (Min.): 5 ns. Type de diode: diode de redressement Schottky...

BAT17-05

Diode BAT17-05, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 4 v. IF(AV): 30mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 4 v. Diode Schottky?: Schottky. Double: double. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Marquage sur le boîtier: 55s. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS 55s. RoHS: oui. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Structure diélectrique: Cathode commune. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V...

1N5818

Diode 1N5818, DO-41, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 30 v. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 30 v. Cj: 110pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Fonction: diode de redressement Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Tension de seuil: 550mV. Tension inverse maxi: 30V. Type de diode: diode de redressement Schottky...

BAT17

Diode BAT17, SOT-23 ( TO-236 ), 30mA, 0.35A, SOT-23, 4 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 30mA. If [A]: 0.35A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 4 v. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..50uA. Diode Schottky?: Schottky. Double: non. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Ifsm [A]: 7.5A. Marquage sur le boîtier: 53s. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 53s. RoHS: oui. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température maxi: +125°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 200mA...

BAT17-04

Diode BAT17-04, 130mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 4 v. IF(AV): 130mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Marquage sur le boîtier: 54s. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS 54s. RoHS: oui. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V...

BAT54A-215

Diode BAT54A-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 200mA. If [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 2uA. Ifsm [A]: 0.6A. Marquage sur le boîtier: L42 ou V3. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Structure diélectrique: anode commune. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV. Trr Diode (Min.): 5 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

BAT54S-215

Diode BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 200mA. If [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 2uA. Ifsm [A]: 0.6A. Marquage sur le boîtier: L44 ou V4. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV. Trr Diode (Min.): 5 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

BAT85S

Diode BAT85S, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 0.2A, 5A, DO-35, 30 v. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. IF(AV): 0.2A. IFSM: 5A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Conditionnement: rouleau. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA. Distance entre connexions (pas): 1.6x3.9mm. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 2uA. Ifsm [A]: 5A. Marquage sur le boîtier: BAT85S. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température maxi: +150°C.. Température: +125°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV. Trr Diode (Min.): 5 ns. Unité de conditionnement: 10000. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

MBRS330T3G

Diode MBRS330T3G, 3A, 80A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 30 v. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 30 v. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B33. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.50V/3A, (If=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V...

STPS2L30A

Diode STPS2L30A, DO-214, DO-214AC, 2A, 75A, 2A, SMA DO214AA ( 4.6x2.9mm ), 30 v. Boîtier: DO-214. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. IF(AV): 2A. IFSM: 75A. If [A]: 2A. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AA ( 4.6x2.9mm ). VRRM: 30 v. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 200uA..15mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Fonction: diode de redressement Schottky de puissance. faible chute de tension. IRM (max): 15mA. IRM (min): 200uA. Ifsm [A]: 75A. Marquage sur le boîtier: G30. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS G30. RoHS: oui. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension de seuil Vf (max): 0.43V. Tension de seuil Vf (min): 0.325V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.375V @ 2A...

1N4148AMMO

Diode 1N4148AMMO, DO-35, 0.1A. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Ifsm [A]: 2A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA...

1N4149TR

Diode 1N4149TR, DO-35, 0.5A. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.5A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA...

1N5401

Diode 1N5401, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5405

Diode 1N5405, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 500V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5407

Diode 1N5407, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 800V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

25F120

Diode 25F120, DO-4 (10-32 UNF-2A), DO-203AA, 25A. Boîtier: DO-4 (10-32 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AA. If [A]: 25A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 12mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 356A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.3V @ 78A...

25FR120

Diode 25FR120, DO-4 (10-32 UNF-2A), DO-203AA, 25A. Boîtier: DO-4 (10-32 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AA. If [A]: 25A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 12mA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 356A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.3V @ 78A...

30BQ100PBF

Diode 30BQ100PBF, SMC, DO-214AB, 3A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. If [A]: 3A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..5mA. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Ifsm [A]: 800A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.79V @ 3A...