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BYV32-200

Diode BYV32-200, TO220, TO220AB. Boîtier: TO220, TO220AB. Conditionnement: tubus. Courant d'impulsion max.: 150A. Courant: 18A, 2x 18A. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra-rapide. RoHS: oui. Temps de réaction: 25ns. Tension de conduction (tension de seuil): 0.85V. Tension de seuil: 0.85V. Tension inverse maxi: 200V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement. Épaisseur du dissipateur thermique: 1.14...1.39mm...

BYV34-500-127

Diode BYV34-500-127, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AB, SOT78, 500V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: commutation rapide. Marquage sur le boîtier: BYV34-500. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Unité de conditionnement: 50...

BYV38

Diode BYV38, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass passivated, 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Date de production: 2013/40. Fonction: Redresseurs rapides Mesa au silicium. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 300 ns...

BYV42E-150

Diode BYV42E-150, 15A, 75A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. IF(AV): 15A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Fonction: Diodes de redressement, ultrarapides, robustes. IRM (max): 1mA. IRM (min): 0.5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: cathode commune. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Structure diélectrique: Cathode commune. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. Trr Diode (Min.): 20 ns...

BYV42E-200

Diode BYV42E-200, 15A, 75A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 200V. IF(AV): 15A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Fonction: Diodes de redressement, ultrarapides, robustes. IRM (max): 1mA. IRM (min): 0.5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. Trr Diode (Min.): 20 ns...

BYV79E-200

BYV79E-200-127

Diode BYV79E-200-127, TO220AC, DO220, SOD59. Boîtier: TO220AC, DO220, SOD59. Conditionnement: tubus. Courant d'impulsion max.: 160A. Courant: 14A, 28A. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra-rapide. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 30ns. Tension de conduction (tension de seuil): 0.9V, 0.83V. Tension de seuil: 0.9V. Tension inverse maxi: 200V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement. Épaisseur du dissipateur thermique: max 1.3mm...

BYW172D

Diode BYW172D, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 100App/10ms...

BYW178

Diode BYW178, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 800V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 80App/10ms...

BYW29-200

Diode BYW29-200, TO-220, 8A, 8A, TO-220AC, 200V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 8A. Courant redressé moyen par diode: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Cj: 45pF. Conditionnement: tubus. Configuration des diodes: indépendant. Courant: 8A. Fonction: SWITCHMODE Power Rectifiers. IRM (max): 600uA. IRM (min): 5uA. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Temps de récupération inverse (max): 25ns. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. Tension inverse maxi: 200V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: THT. Épaisseur du dissipateur thermique: 1.14...1.39mm...

BYW29EX-200

Diode BYW29EX-200, 8A, 88A, TO-220FP, TO-220F, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 88A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: diodes de redressement ultra-rapides (max 25ns). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 2500V, Cisol 10pF. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V. Trr Diode (Min.): 20 ns. Unité de conditionnement: 50...

BYW36

Diode BYW36, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Fonction: Fast Avalanche Sinterglass Diode. IRM (max): 46.4k Ohms. IRM (min): 1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode de rectification et de commutation rapide. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. Trr Diode (Min.): 200 ns...

BYW56

Diode BYW56, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 50pF. Fonction: Mesa Rectifiers. IRM (max): 5uA. IRM (min): 0.1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Trr Diode (Min.): 4us...

BYW72

Diode BYW72, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 100App/10ms. RoHS: oui...

BYW80-200

Diode BYW80-200, 8A, TO-220, TO-220B, 200V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220B. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: Ifsm 100A/10ms...

BYW95C

Diode BYW95C, 3A, 70A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 85pF. Fonction: 'Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers'. IRM (max): 150uA. IRM (min): 1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--70App / 10mS. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. Trr Diode (Min.): 250 ns...

BYW96D

Diode BYW96D, 3A, 70A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 800V. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Cj: 75pF. Fonction: Redresseur d'avalanche contrôlé à récupération rapide et douce. IRM (max): 150uA. IRM (min): 1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--70Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. Trr Diode (Min.): 300 ns...

BZX84-C3V6-215

Diode BZX84-C3V6-215, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant: 200mA. Montage/installation: SMD. Puissance: 0.25W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Tension Zéner: 3.6V. Tension de conduction (tension de seuil): 0.9V. Tolérance: 5%. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode zéner...

CL20M45

Diode CL20M45, DO-214, DO-214AA, 20mA, 0.02A, SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ), 45V. Boîtier: DO-214. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. IF(AV): 20mA. If [A]: 0.02A. Boîtier (selon fiche technique): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: -. Famille de composants: Diode au silicium. Fonction: Circuit pilote LED 20mA/45V. Ifsm [A]: 0.023A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: commande de LED à courant constant. Spec info: pour une dissipation de 1W sans refroidissement, max 25V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 10..90V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: -...

CL40M45

Diode CL40M45, DO-214, DO-214AA, 40mA, 0.04A, SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ), 45V. Boîtier: DO-214. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. IF(AV): 40mA. If [A]: 0.04A. Boîtier (selon fiche technique): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: -. Famille de composants: Diode au silicium. Fonction: Circuit pilote LED 40mA/45V. Ifsm [A]: 0.046A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: commande de LED à courant constant. Spec info: pour une dissipation de 1W sans refroidissement, max 25V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 10..90V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: -...

CTB34

Diode CTB34, 15A, 150A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 15A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Fonction: diode Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Trr Diode (Min.): 100 ns...

CTB34M

Diode CTB34M, 30A, 300A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Fonction: diode Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Trr Diode (Min.): 100 ns...

CTX12SL

Diode CTX12SL, 5A, TO-220, TO-220, 200V. IF(AV): 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V. Double: double. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Ifsm--50A10mS. Spec info: IFSM--50A t=10mS. Structure diélectrique: Cathode commune...

D6025LTP

Diode D6025LTP, 15.9A, 300A, TO-220FP, TO-220FP-3, 600V. IF(AV): 15.9A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: 'Fast Recovery Rectifiers'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Température: +125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Trr Diode (Min.): 4us. Unité de conditionnement: 50...