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BAV18-TAP

Diode BAV18-TAP, 0.25A, 1A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 60V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 1A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Fonction: Diodes à usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

BAV20

Diode BAV20, DO-35 ( SOD27 ), 0.25A, 1A, DO-35, 200V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). IF(AV): 0.25A. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Courant d'impulsion max.: 5A. Courant: 0.65A. Fonction: Diodes à usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Tension inverse maxi: 150V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement...

BAV70W

Diode BAV70W, SC-70, SOT323. Boîtier: SC-70, SOT323. Capacité: 2pF. Courant d'impulsion max.: 2A. Courant: 300mA. Montage/installation: SMD. Puissance: 200mW. RoHS: oui. Temps de réaction: 4ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension inverse maxi: 75V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

BAW27

Diode BAW27, 0.6A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35 ( 1.6x3.9mm ), 75V. IF(AV): 0.6A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: Ifsm--4A/1uS...

BAW56

Diode BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cj: 2pF. Courant d'impulsion max.: 2A. Courant: 450mA, 0.3A. Fonction: Ultra High Speed Switching. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Marquage sur le boîtier: A1s. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS A1s. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Structure diélectrique: anode commune. Temps de réaction: 4ns, 6ns. Température: +150°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 70V, 85V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

BAW56W

Diode BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V. Boîtier: SOT-323. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 200mA. If [A]: 0.15A. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT323. VRRM: 85V. Cj: 2pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30nA..150uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Ultra High Speed Switching. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Ifsm [A]: 4A. Marquage sur le boîtier: A1. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS A1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Structure diélectrique: anode commune. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 90V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

BS890

Diode BS890, 8A, 155A, DO-201, DO-201AD ( 7.5x5.4mm ), 90V. IF(AV): 8A. IFSM: 155A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Fonction: Diode de redressement à barrière Schottky, sorties axiales. IRM (max): 20mA. IRM (min): 5mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.83V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V...

BY12

Diode BY12, 0.5A, 30A, 7.3x22mm, 12000V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Dimensions: 7.3x22mm. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 10V. Trr Diode (Min.): 1500 ns...

BY16

Diode BY16, 0.3A, 0.3A, 30A, 7.3x22mm, 16000V. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 0.3A. If [A]: 0.3A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. VRRM: 16000V. Cj: 1pF. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25uA. Dimensions: 7.3x22mm. Famille de composants: diode de redressement haute tension. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Ifsm [A]: 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 16 kV. Tension de seuil Vf (max): 15V. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 15V @ 0.3A...

BY203-20S

Diode BY203-20S, 0.25A, 20A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass passivated, 2000V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Diode Tff(25°C): 300 ns. IRM (max): 2uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.4V...

BY228

Diode BY228, DO-201, 3A, 70A, 3A, DO-201AD ( 7.5x4.5mm ), 1500V. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x4.5mm ). VRRM: 1500V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..140uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 5uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 50A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Poids: 12g. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--70Ap/10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.5 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 2us. [V]: 1.5V @ 5A...

BY228-TH

Diode BY228-TH, 3A, 50A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 1500V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Fonction: montage sur dissipateur thermique. IRM (max): 140uA. IRM (min): 2uA. Marquage sur le boîtier: 97053100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 4.2x4.3mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Trr Diode (Min.): 2us...

BY228-VIS

Diode BY228-VIS, 3A, 50A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ), 1500V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). VRRM: 1500V. Fonction: -. IRM (max): 140uA. IRM (min): 2uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 4.2x4.3mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Trr Diode (Min.): 2us...

BY255

Diode BY255, DO-27, 3A, 100A, 3A, DO-27 ( 9x5.2mm ), 1300V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9x5.2mm ). VRRM: 1300V. Cj: 40pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 200A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Courant: 3A. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 110A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.3 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension inverse maxi: 1.3kV. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 3A...

BY297

Diode BY297, 2A, 70A, DO-15, DO-15 ( 7.6x3.6mm ), 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifms 70Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

BY448

Diode BY448, SOD-57 ( Glass ), 2A, 30A, SOD-57 Glass, 1500V. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). IF(AV): 2A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1500V. Conditionnement: Ammo Pack. Courant: 2A. IRM (max): 140uA. IRM (min): 3uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 20us. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.6V. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V. Tension de seuil: 1.6V. Tension inverse maxi: 1500V. Trr Diode (Min.): 2us. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement...

BY458

Diode BY458, 4A, SOD-57, 1200V. IF(AV): 4A. Boîtier (selon fiche technique): SOD-57. VRRM: 1200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 30App/10ms...

BY500-1000

Diode BY500-1000, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 10uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 200 ns...

BY500-200

BY500-600

BY550-1000

Diode BY550-1000, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Fonction: Silicon Rectifiers. IRM (max): 20uA. IRM (min): 20uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V...

BY550-400

Diode BY550-400, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 400V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. IRM (max): 5uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V...

BY550-600

Diode BY550-600, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 600V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. IRM (max): 20uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V...

BYD33D

Diode BYD33D, 1.3A, 20A, SOD-81, SOD-81, 200V. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. VRRM: 200V. Fonction: 'Fast Soft-Rocovery Rectifier Diode'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V. Trr Diode (Min.): 250 ns...