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MUR1520G

MUR1660CTG

Diode MUR1660CTG, TO-220AB, TO-220AB, 2 X 8A. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. If [A]: 2 X 8A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA..500uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 100A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 60 ns. [V]: 1.5V @ 8A...

MUR4100ERLG

MUR460RLG

MUR8100EG

P1200A

Diode P1200A, 12A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 12A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 50V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.84V @ 5A...

P1200B

Diode P1200B, 12A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 12A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.84V @ 5A...

P1200D

Diode P1200D, 12A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 12A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.84V @ 5A...

P600B

Diode P600B, 6A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 6A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1V @ 5A...

P600G

Diode P600G, 6A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 6A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1V @ 5A...

P600J

Diode P600J, 6A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 6A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1V @ 5A...

PMEG6010CEJ-115

Diode PMEG6010CEJ-115, SOD-323F, 1A. Boîtier: SOD-323F. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.8uA..11uA. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Ifsm [A]: 10A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.57V @ 1A...

RHRP3060

RURG5060

RURG8060

S1A

Diode S1A, SMA, DO-214AC, 1A. Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 32A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 50V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

S1G

Diode S1G, SMA, DO-214AC, 1A. Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 32A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

S2A

Diode S2A, SMB, DO-214AA, 2A. Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. If [A]: 2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..100uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 55A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 50V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.15V @ 2A...

S2G

Diode S2G, SMB, DO-214AA, 2A. Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. If [A]: 2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..100uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 55A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.15V @ 2A...

S3A

Diode S3A, SMC, DO-214AB, 3A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. If [A]: 3A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..200uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 110A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 50V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.15V @ 3A...

S3G

Diode S3G, SMC, DO-214AB, 3A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. If [A]: 3A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..200uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 110A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.15V @ 3A...

SB-5H100-E3-54

Diode SB-5H100-E3-54, DO-201AD, DO-201AD, 5A. Boîtier: DO-201AD. Boîtier (norme JEDEC): DO-201AD. If [A]: 5A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.2mA..10mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.8V @ 5A...

SB160S

Diode SB160S, DO-41, DO-204AC, 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. If [A]: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..5mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 40A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 1A...

SBCT20100