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BAS40-04

Diode BAS40-04, SOT-23 ( TO-236 ), 0.2A, 0.12A, 0.6A, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 0.2A. If [A]: 0.12A. IFSM: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Ifsm [A]: 0.2A. Marquage sur le boîtier: 44. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.5V @ 10mA...

BAS40-05

Diode BAS40-05, 0.2A, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 45. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

BAS40-06

Diode BAS40-06, 0.2A, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 46. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: anode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

BAS40-07

Diode BAS40-07, 0.2A, 0.6A, SOT-143, SOT-143B, 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. VRRM: 40V. Cj: 5pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 47 s. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Indépendant. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

BAS45A

Diode BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V. IF(AV): 250mA. IFSM: 1A. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Conditionnement: rouleau. Fonction: Diode à faible fuite. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: faible courant inverse. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. Trr Diode (Min.): 1.5us. Unité de conditionnement: 5000...

BAS70-04

BAS85

Diode BAS85, 12.7k Ohms, 0.2A, 4A, SOD-80C, 30 v. Boîtier: 12.7k Ohms. IF(AV): 0.2A. IFSM: 4A. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Courant d'impulsion max.: 5A. Courant: 200mA. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Fonction: Diodes à barrière Schottky à commutation rapide en verre. IRM (max): 2uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de conduction (tension de seuil): 0.8V. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V. Tension de seuil: 320mV. Tension inverse maxi: 30V. Trr Diode (Min.): 5 ns. Type de diode: diode de redressement Schottky...

BAT17

Diode BAT17, SOT-23 ( TO-236 ), 30mA, 0.35A, SOT-23, 4 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 30mA. If [A]: 0.35A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 4 v. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..50uA. Diode Schottky?: Schottky. Double: non. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Ifsm [A]: 7.5A. Marquage sur le boîtier: 53s. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 53s. RoHS: oui. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température maxi: +125°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 200mA...

BAT17-04

Diode BAT17-04, 130mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 4 v. IF(AV): 130mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Marquage sur le boîtier: 54s. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS 54s. RoHS: oui. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V...

BAT17-05

Diode BAT17-05, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 4 v. IF(AV): 30mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 4 v. Diode Schottky?: Schottky. Double: double. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Marquage sur le boîtier: 55s. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS 55s. RoHS: oui. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Structure diélectrique: Cathode commune. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V...

BAT18

Diode BAT18, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 35V. IF(AV): 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 35V. Diode Schottky?: Schottky. Fonction: Diode de commutation de bande VHF/UHF. Marquage sur le boîtier: A2. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 1.2V...

BAT18-04

Diode BAT18-04, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 35V. IF(AV): 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 35V. Diode Schottky?: Schottky. Fonction: Diode de commutation de bande VHF/UHF 10MHz. Marquage sur le boîtier: AUs. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. Tf (type): 120ns...

BAT54

BAT54A-215

Diode BAT54A-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 200mA. If [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 2uA. Ifsm [A]: 0.6A. Marquage sur le boîtier: L42 ou V3. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Structure diélectrique: anode commune. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV. Trr Diode (Min.): 5 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

BAT54C

BAT54S-215

Diode BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 200mA. If [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 2uA. Ifsm [A]: 0.6A. Marquage sur le boîtier: L44 ou V4. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV. Trr Diode (Min.): 5 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

BAT62-03W

Diode BAT62-03W, 20mA, SOD-323, SOD-323, 40V. IF(AV): 20mA. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323. VRRM: 40V. Diode Schottky?: Schottky. Marquage sur le boîtier: -. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: IFSM 0.75App/10ms...

BAT83S

Diode BAT83S, 30mA, 0.5A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 60V. IF(AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.6pF. Conditionnement: rouleau. Distance entre connexions (pas): 1.6x3.9mm. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 200nA. Marquage sur le boîtier: BAT83S. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Température: +125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 330mV. Unité de conditionnement: 10000...

BAT86-133

Diode BAT86-133, 0.2A, 5A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 1.6x3.04 ), 50V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 5A. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Cj: 8pF. Fonction: diode Schottky. IRM (max): 5uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode Schottky de commutation. RoHS: oui. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 900mV. Tension de seuil Vf (min): 300mV. Trr Diode (Min.): 4 ns...

BAT86S

Diode BAT86S, 0.2A, 5A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 50V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 5A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 50V. Cj: 8pF. Conditionnement: rouleau. Dimensions: 3.9x1.6mm. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 5uA. Marquage sur le boîtier: BTA86S. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +125°C. Tension de seuil Vf (max): 900mV. Tension de seuil Vf (min): 300mV. Unité de conditionnement: 10000...

BAV101-GS08

Diode BAV101-GS08, miniMELF. Boîtier: miniMELF. Capacité: 1.5pF. Courant d'impulsion max.: 1A. Courant: 625mA. Montage/installation: SMD. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 120V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

BAV102-GS08

Diode BAV102-GS08, miniMELF. Boîtier: miniMELF. Capacité: 1.5pF. Courant d'impulsion max.: 1A. Courant: 625mA. Montage/installation: SMD. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 200V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

BAV103

Diode BAV103, 250mA, 1A, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.5x1.5mm ), 250V. IF(AV): 250mA. IFSM: 1A. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Cj: 1.5pF. Fonction: Diodes de commutation pour petits signaux, haute tension. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

BAV103-GS08

Diode BAV103-GS08, miniMELF. Boîtier: miniMELF. Capacité: 1.5pF. Courant d'impulsion max.: 1A. Courant: 625mA. Montage/installation: SMD. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 250V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...