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Nous vous proposons une sélection de 541 produits pouvant correspondre à votre recherche de "connecteur-alimentation-dc" (Diodes standard et de redressement)

12CWQ10FN

12CWQ10FN

Diode 12CWQ10FN, 12A, 330A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. IF(AV): 12A. IFSM: 330A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 100V. Cj: 183pF. Equivalences: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. Fonction: diode de redressement Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V...

1.41€
Quantité en stock: 133
150EBU02

150EBU02

Diode 150EBU02, 150A, 1600A, POWERTAB, 200V. IF(AV): 150A. IFSM: 1600A. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. VRRM: 200V. Cj: 180pF. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.13V. Tension de seuil Vf (min): 0.99V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

12.46€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 11
150EBU04

150EBU04

Diode 150EBU04, 150A, 1500A, POWERTAB, 400V. IF(AV): 150A. IFSM: 1500A. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.07V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

13.41€
Quantité en stock: 17
1N4003

1N4003

Diode 1N4003, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 200V. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 200V. Type de diode: diode de redressement...

0.0395€
+1000 rapidement
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Quantité en stock: 4328
Minimum: 10
1N4004

1N4004

Diode 1N4004, DO-41, DO-204AC, 1A, 30A, 1A, DO-41 ( DO-204AL ), 400V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. If [A]: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 400V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

0.0196€
+7602 rapidement
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Quantité en stock: 2720
Minimum: 25
1N4005

1N4005

Diode 1N4005, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

0.0345€
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Minimum: 10
1N4007

1N4007

Diode 1N4007, DO-41, DO-204AC, 1A, 30A, 1A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 1000V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. If [A]: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 30Ap/8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 1kV, 1000V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

0.0369€
+243234 rapidement
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Quantité en stock: 7203
Minimum: 10
1N4149

1N4149

Diode 1N4149, 500mA, 1A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 100V. IF(AV): 500mA. IFSM: 1A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Trr Diode (Min.): 4 ns...

0.0942€
Quantité en stock: 1919
Minimum: 10
3JU41

3JU41

Diode 3JU41, 3A, DO-201, DO-201AD 8x6mm, 600V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD 8x6mm. VRRM: 600V. Diode Tff(25°C): 200 ns. IRM (max): 100uA. Marquage sur le boîtier: 3JU. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): -. Trr Diode (Min.): 100 ns...

0.75€
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1N4150

1N4150

Diode 1N4150, 0.3A, 4A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 50V. IF(AV): 0.3A. IFSM: 4A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 50V. Fonction: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Température de fonctionnement: -50...+200°C...

0.0360€
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Minimum: 10
40HF120

40HF120

Diode 40HF120, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1200V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

13.91€
Quantité en stock: 7
40HF160

40HF160

Diode 40HF160, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1600V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1600V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 4.5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: Fixation filetée. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+160°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

14.71€
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40HF40

40HF40

Diode 40HF40, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 400V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 400V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

9.27€
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Quantité en stock: 73
40HF60

40HF60

Diode 40HF60, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 600V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 600V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

13.24€
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40HF80

40HF80

Diode 40HF80, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

10.80€
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40HFR120

40HFR120

Diode 40HFR120, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1200V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: Fixation filetée. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

13.81€
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40HFR40

40HFR40

Diode 40HFR40, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 400V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 400V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: Fixation filetée. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

8.14€
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40HFR80

40HFR80

Diode 40HFR80, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

13.62€
Quantité en stock: 11
1N4151

1N4151

Diode 1N4151, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 2A, DO-35, 75V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 75V. Courant d'impulsion max.: 2A. Courant: 0.5A. Fonction: diode de commutation ultra-rapide, Ifsm 1us 2A. IRM (max): 50nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.5W. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 4ns. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Tension inverse maxi: 75V. Trr Diode (Min.): 2 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de commutation...

0.0233€
+1000 rapidement
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Quantité en stock: 725
Minimum: 25
1N4448

1N4448

Diode 1N4448, DO-35 ( SOD27 ), 0.15A, 0.45A, 0.3A, DO-35, 100V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). IF(AV): 0.15A. Boîtier (norme JEDEC): -. IFSM: 0.45A. If [A]: 0.3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..5uA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. Ifsm [A]: 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.7V @ 5mA...

0.0299€
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Quantité en stock: 3903
Minimum: 10
60APU02-N3

60APU02-N3

Diode 60APU02-N3, 60A, 800A, TO-247, TO-247AC 3L, 200V. IF(AV): 60A. IFSM: 800A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC 3L. VRRM: 200V. Cj: 87pF. Equivalences: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. Marquage sur le boîtier: 60APU02. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.08V. Tension de seuil Vf (min): 0.98V. Trr Diode (Min.): 28 ns...

5.45€
Quantité en stock: 17
6A100G-R0G

6A100G-R0G

Diode 6A100G-R0G, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 250A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 60pF. Equivalences: 6A100G-R0G. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A10. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 2500 ns...

0.41€
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