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BYT01-400

BYT79-500

BYV26C-TAP

BYV28-200-TAP

BYV34-400

BYW56-TAP

Diode BYW56-TAP, SOD-57, 2A. Boîtier: SOD-57. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 2A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.1uA..10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 50A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4us. [V]: 1V @ 1A...

BYW99P-200

D-BY228G

Diode D-BY228G, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 80A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.5 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 2us. [V]: 1.3V @ 5A...

DD1800

Diode DD1800, D3x12mm, 0.02A. Boîtier: D3x12mm. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.02A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 3A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Courant: 0.3A. Famille de composants: Diode au silicium. Ifsm [A]: 3A. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 150ns. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 40V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 18 kV. Tension inverse maxi: 18kV. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 150 ns. [V]: 40V @ 3A...

DD600

Diode DD600, D2.5x6.5mm, 0.02A. Boîtier: D2.5x6.5mm. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.02A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Famille de composants: Diode au silicium. Ifsm [A]: 3A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 6 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 150 ns. [V]: 40V @ 3A...

DSEI2X101-6A

DSEI2X30-12B

Diode DSEI2X30-12B, SOT-227B (ISOTOP), 2x28A. Boîtier: SOT-227B (ISOTOP). Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 2x28A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.75mA..7mA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 210A. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 60 ns. [V]: 2.55V @ 30A...

DSEI2X31-06C

DSI30-16A

Diode DSI30-16A, TO-220AC, TO-220AC, 30A. Boîtier: TO-220AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AC. If [A]: 30A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 40uA..1.5mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 300A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.6 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.25V @ 30A...

ER1B

ER1G

ER1M

ER2G

ER2M

ER3G

ER3M

ES1D-E3-61T

Diode ES1D-E3-61T, SMA, DO-214AC, 1A. Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..100uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 30A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 25 ns. [V]: 0.92V @ 1A...

ES2BSMA

Diode ES2BSMA, SMA, DO-214AC, 2A. Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 3uA..350uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 50A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.9V @ 2A...

ES2DSMA

Diode ES2DSMA, SMA, DO-214AC, 2A. Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 3uA..350uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 50A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.9V @ 2A...