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S1M-FAI

Diode S1M-FAI, 1A, 30A, DO-214, SMA DO214AC, 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Fonction: diodes de redressement à usage général. Marquage sur le boîtier: 1 M. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier 4.6x2.7mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 1.8us...

S210

Diode S210...

S210F

Diode S210F...

S24

Diode S24...

S24F

Diode S24F...

S26F

Diode S26F...

S2A

Diode S2A, SMB, DO-214AA, 2A. Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. If [A]: 2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..100uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 55A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 50V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.15V @ 2A...

S2B

S2G

Diode S2G, SMB, DO-214AA, 2A. Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. If [A]: 2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..100uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 55A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.15V @ 2A...

S2L20U

Diode S2L20U, 1.5A, 200V. IF(AV): 1.5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium...

S2M

S310

Diode S310...

S310F

Diode S310F...

S34

Diode S34...

S34F

Diode S34F...

S399D

Diode S399D, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 1500V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 50App/10ms...

S3A

Diode S3A, SMC, DO-214AB, 3A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. If [A]: 3A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..200uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 110A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 50V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.15V @ 3A...

S3G

Diode S3G, SMC, DO-214AB, 3A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. If [A]: 3A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..200uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 110A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.15V @ 3A...

S3M

S3MB-13-F

Diode S3MB-13-F, 3A, 100A, DO-214, SMB DO214AA, 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Fonction: diode de redressement. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.15V. Tension de seuil Vf (min): 1.15V...

S510F

Diode S510F...

S54F

Diode S54F...

S5M

Diode S5M, 5A, 180A, DO-214, SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 180A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Fonction: Redressement secteur 50/60 Hz. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: S5M. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -50...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 1500 ns...

SB-5H100-E3-54

Diode SB-5H100-E3-54, DO-201AD, DO-201AD, 5A. Boîtier: DO-201AD. Boîtier (norme JEDEC): DO-201AD. If [A]: 5A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.2mA..10mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.8V @ 5A...