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RF2001T3D

Diode RF2001T3D, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220FN, 350V. IF(AV): 20A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. VRRM: 350V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: diode à commutation rapide et à récupération rapide. IRM (max): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFMS 100Ap. Structure diélectrique: Cathode commune. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Unité de conditionnement: 50...

RFU20TM5S

Diode RFU20TM5S, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220F, 530V. IF(AV): 20A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 530V. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: -. RoHS: oui. Spec info: Silicon epitaxial planer. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.65V. Trr Diode (Min.): 23 ns...

RG2Y

Diode RG2Y, 1.5A, 50A, DO-15, D2A ( 4.0x7.2mm ), 70V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 0.5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Poids: 0.6g. Quantité par boîtier: 1. Remarque: SAMSUNG. RoHS: oui. Spec info: IFMS 50Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Trr Diode (Min.): 100 ns...

RG4A

Diode RG4A, 2A, 50A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 2V. Trr Diode (Min.): 100us...

RG4C

Diode RG4C, 2A, 60A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 3V. Trr Diode (Min.): 100 ns...

RG4Z

Diode RG4Z, 3A, 80A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 200V. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 100 ns...

RGL41J

Diode RGL41J...

RGP02-20E

Diode RGP02-20E, 0.5A, 20A, DO-15, DO-15 ( 2.7x5.2mm ), 2000V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 20A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 2000V. Cj: 5pF. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Trr Diode (Min.): 300 ns...

RGP10D

Diode RGP10D, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: GI, S. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

RGP10G

Diode RGP10G, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

RGP10J

Diode RGP10J, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: GI, S. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 250 ns...

RGP15G

Diode RGP15G, DO-204, DO-204AC, 400V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: 50App/8.3ms...

RGP15J

Diode RGP15J, DO-204, DO-204AC, 600V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: 50App/8.3ms...

RGP15M

Diode RGP15M, DO-204, DO-204AC, 1000V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: 50App/8.3ms...

RGP20B

Diode RGP20B, 2A, 100V. IF(AV): 2A. VRRM: 100V. Distance entre connexions (pas): 9.5x5.3mm. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ifsm--80A/8.2ms...

RGP20D

Diode RGP20D, 2A, 200V. IF(AV): 2A. VRRM: 200V. Distance entre connexions (pas): 9.5x5.3mm. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ifsm--80A/8.2ms...

RGP30G

Diode RGP30G, 3A, 400V. IF(AV): 3A. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI, S...

RGP30M

Diode RGP30M, 3A, DO-201, DO-201AD, 1000V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 125App/8.3ms. RoHS: oui...

RH2F

Diode RH2F, 1A, 60A, DO-201, DO-201 ( 4.4x7.5mm ), 1500V. IF(AV): 1A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Fonction: 'damper'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Samsung--CK6813Z/SEH. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 4us...

RH4F

Diode RH4F, 2.5A, 50A, DO-201, DO-201 ( 6.5x8.0mm ), 1500V. IF(AV): 2.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Fonction: 'damper'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Samsung--0402-000266. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Trr Diode (Min.): 4us...

RHRP15120

Diode RHRP15120, 15A, 200A, TO-220, TO-220AC-2, 1200V. IF(AV): 15A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Fonction: Hyperfast Diode. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode hyper rapide. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--200Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V. Trr Diode (Min.): 65 ns...

RHRP1560

RHRP30120

Diode RHRP30120, 30A, 300A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Fonction: Hyperfast with Soft Recovery. Marquage sur le boîtier: RHR30120. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V. Trr Diode (Min.): 65 ns...

RHRP3060