Rechercher "diode stth30r06cw"

P1200A

Diode P1200A, 12A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 12A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 50V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.84V @ 5A...

P1200B

Diode P1200B, 12A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 12A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.84V @ 5A...

P1200D

Diode P1200D, 12A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 12A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.84V @ 5A...

P2000M

Diode P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. Boîtier: R-6. IF(AV): 20A. Courant redressé moyen par diode: 20A. IFSM: 500A. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Configuration des diodes: indépendant. IRM (max): -. IRM (min): 10uA. Information: -. MSL: -. Marquage sur le boîtier: P2000M. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: THT...

P2500M

Diode P2500M...

P2500W

Diode P2500W, 1600V, 25A. VRRM: 1600V. Courant redressé moyen par diode: 25A. Configuration des diodes: indépendant. Information: -. MSL: -. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: THT...

P600B

Diode P600B, 6A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 6A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1V @ 5A...

P600D

P600G

Diode P600G, 6A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 6A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1V @ 5A...

P600J

Diode P600J, 6A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 6A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1V @ 5A...

P600K

P600M

P600S

Diode P600S, 6A, 400A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1200V. IF(AV): 6A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A12. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 1500 ns...

P6KE11A

Diode P6KE11A, DO15. Boîtier: DO15. Courant de fuite: 5uA. Montage/installation: THT. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: unidirectionnel. Tension inverse maxi: 9.4V. Tolérance: 5%. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: TVS...

PESD5V0S2BT

Diode PESD5V0S2BT, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 12A. Courant de fuite: 100nA. Montage/installation: SMD. Puissance: 130W. RoHS: oui. Tension de claquage: 5V, 7.5V. Tension inverse maxi: 5V. Type de diode: TVS...

PMEG4005AEA

Diode PMEG4005AEA, SOD323. Boîtier: SOD323. Courant d'impulsion max.: 3.5A. Courant: 500mA. Montage/installation: SMD. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Tension de conduction (tension de seuil): 470mV, 0.47V. Tension de seuil: 470mV. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky...

PMEG6010CEJ

Diode PMEG6010CEJ, 1A, 10A, SOD-323, SOD-323F, 60V. IF(AV): 1A. IFSM: 10A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323F. VRRM: 60V. Fonction: diode de redressement Schottky (série Mega). Marquage sur le boîtier: EQ. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.66V. Tension de seuil Vf (min): 0.21V...

PMEG6010CEJ-115

Diode PMEG6010CEJ-115, SOD-323F, 1A. Boîtier: SOD-323F. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.8uA..11uA. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Ifsm [A]: 10A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.57V @ 1A...

PR1504

Diode PR1504, 1.5A, 50A, DO-41, DO-41 ( 2.7x5.0mm ), 400V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

PS1010RS

Diode PS1010RS, 30A, A-405 (5.2x2.7mm), 1000V. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): A-405 (5.2x2.7mm). VRRM: 1000V. Cj: -. Fonction: commutation rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 500 ns...

PSD68-12

Diode PSD68-12. Assemblage mécanique: à visser. Vis. Connexions électriques: diamètre connexion 0.75mm. Courant d'impulsion max.: 300A. Courant: 68A. Propriétés des éléments semi-conducteurs: 'glass passivated'. Raccordement électrique: connexions à souder. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode/diode. Tension de conduction (tension de seuil): 1.46V. Tension inverse maxi: 1.2kV. Type d'élément semi-conducteur: Pont de redressement triphasé à diodes. Type de conditionnement: -...

R2000

Diode R2000...

R2KY

Diode R2KY. Remarque: DAEWOO TV...

R2M

Diode R2M. Remarque: SONY TV...