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MUR820

MUR820

Diode MUR820, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Marquage sur le boîtier: U820. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V. Trr Diode (Min.): 25 ns...

0.84€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 38
MUR860G

MUR860G

Diode MUR860G, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: U860. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: diode de redressement ultra rapide. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

1.37€
Quantité en stock: 109
MUR880

MUR880

Diode MUR880, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 800V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 800V. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Marquage sur le boîtier: U880E. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Trr Diode (Min.): 75us...

1.49€
Quantité en stock: 34
MURS160T3G

MURS160T3G

Diode MURS160T3G, 1A, 35A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diode Tff(25°C): 50 ns. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: U1J. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U1J. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

0.24€
Quantité en stock: 1890
MURS320T3G

MURS320T3G

Diode MURS320T3G, 3A, 75A, DO-214, SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U3D. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V. Trr Diode (Min.): 25 ns...

0.57€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 99
MURS360

MURS360

Diode MURS360, 3A, 75A, DO-214, SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S R6. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

0.72€
Quantité en stock: 446
MURS360B

MURS360B

Diode MURS360B, 3A, 100A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S, R6. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

0.48€
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Quantité en stock: 261
P1000B

P1000B

Diode P1000B, P600, 8X7.5MM. Boîtier: P600, 8X7.5MM. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 400A. Courant de fuite: 10uA. Courant: 80A. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation rapide. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 1.5us. Tension de conduction (tension de seuil): 1.05V. Tension de seuil: 1.05V. Tension inverse maxi: 100V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement...

1.50€
Quantité en stock: 15