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MBRS1100T3G

MBRS1100T3G

Diode MBRS1100T3G, SMB, DO-214AC, 1A. Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..5mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 50A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 1A...

0.53€
Quantité en stock: 4980
MBRS130LT3G

MBRS130LT3G

Diode MBRS130LT3G, SMB, DO-214AC, 1A. Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..10mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 40A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +125°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.395V @ 1A...

0.36€
Quantité en stock: 2736
MBRS140T3G

MBRS140T3G

Diode MBRS140T3G, SMB, DO-214AC, 1A. Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..10mA. Courant: 1A. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 40A. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Température maxi: +125°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 600mV. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil: 600mV. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.6V @ 1A...

0.59€
+150 rapidement
Quantité en stock: 9990
MBRS190T3

MBRS190T3

Diode MBRS190T3, 1A, 50A, DO-214, SMB DO214AA, 90V. IF(AV): 1A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA. VRRM: 90V. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Marquage sur le boîtier: B19. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS B19. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V...

0.26€
Quantité en stock: 147
MBRS3100T3G

MBRS3100T3G

Diode MBRS3100T3G, 3A, 130A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 130A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B310. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V...

0.67€
Quantité en stock: 2452
MBRS3200T3G

MBRS3200T3G

Diode MBRS3200T3G, 3A, 100A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 200V. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: B320. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.84V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.84V. Tension de seuil Vf (min): 0.84V...

0.68€
Quantité en stock: 53
MBRS330T3G

MBRS330T3G

Diode MBRS330T3G, 3A, 80A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 30 v. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 30 v. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B33. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.50V/3A, (If=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V...

0.47€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 73
MBRS340T3G

MBRS340T3G

Diode MBRS340T3G, 3A, 80A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 40V. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B34. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.525V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.525V. Tension de seuil Vf (min): 0.525V...

0.50€
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Equivalence disponible
Quantité en stock: 195
MBRS360B

MBRS360B

Diode MBRS360B, 3A, 80A, DO-214, SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ). VRRM: 60V. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B36. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.74V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V...

0.39€
Quantité en stock: 279
MBRS360T3G

MBRS360T3G

Diode MBRS360T3G, DO-214, DO-214AB, 3A, 80A, 3A, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 60V. Boîtier: DO-214. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.03mA..3mA. Equivalences: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Fonction: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 60A. Marquage sur le boîtier: B36. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.74V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.63V @ 3A...

0.58€
+1016 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 335
MCL4148

MCL4148

Diode MCL4148, LS-31 (Quadro-MicroMELF), 0.15A. Boîtier: LS-31 (Quadro-MicroMELF). Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.15A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 2A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 50mA...

0.0711€
Quantité en stock: 39176
Minimum: 10
MCL4448

MCL4448

Diode MCL4448, LS-31 (Quadro-MicroMELF), 0.15A. Boîtier: LS-31 (Quadro-MicroMELF). Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.15A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 2A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 50mA...

0.0651€
Quantité en stock: 22586
Minimum: 10
TS4148RYG

TS4148RYG

Diode TS4148RYG, SMD 0805, 150mA, 0.15A, 500mA, 100V. Boîtier: SMD 0805. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 150mA. If [A]: 0.15A. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. Autre nom: IN4148. Cj: 4pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Diodes haute vitesse. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Ifsm [A]: 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 100mA...

0.0331€
+23758 rapidement
Quantité en stock: 10523
Minimum: 10
MEE75-12DA

MEE75-12DA

Diode MEE75-12DA, 75A, 1200A, TO-240, TO-240AA, 1200V. IF(AV): 75A. IFSM: 1200A. Boîtier: TO-240. Boîtier (selon fiche technique): TO-240AA. VRRM: 1200V. Fonction: Module de diodes. 'Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: module de 2 diodes. RoHS: oui. Spec info: isolation 3600V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.58V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

47.73€
Quantité en stock: 7
MEK-600-04-DA

MEK-600-04-DA

Diode MEK-600-04-DA, 880A, n/a, 400V. IF(AV): 880A. IFSM: n/a. VRRM: 400V. Brochage: vis M6 (x3). Dimensions: 94x34x30mm. Dissipation de puissance maxi: 1100W. Fonction: module de diode secteur, courant élevé. Isolation électrique: 3600V, 50/60Hz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A. Structure diélectrique: Cathode commune. Technologie: double diode à cathode commune (HiPerFREDTM). Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 220 ns...

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