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1N6263

Diode 1N6263, 15mA, 50mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 60V. IF(AV): 15mA. IFSM: 50mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 2.2pF. Fonction: Ultrafast switching. IRM (max): 0.2uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: détection VHF/UHF. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V...

1N914

Diode 1N914, DO-35 ( SOD27 ), 300mA, 4A, DO-35, 100V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). IF(AV): 300mA. IFSM: 4A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Courant: 0.3A. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: 0...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 620mV. Tension inverse maxi: 100V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Type de diode: diode de commutation...

1NU41

Diode 1NU41, 1A, DO-15, DO-15 ( 6.0x3.4mm ), 1000V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.0x3.4mm ). VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: Ifsm 10Ap...

1SS133

Diode 1SS133, 130mA, 400mA, DO-34 ( SOD68 ), DO-34, 80V. IF(AV): 130mA. IFSM: 400mA. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34. VRRM: 80V. Cj: 2pF. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 0.5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Trr Diode (Min.): 4 ns...

1SS355

Diode 1SS355, 100mA, 500mA, SOD-323, SOD-323 ( 1.7x1.25mm ), 80V. IF(AV): 100mA. IFSM: 500mA. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323 ( 1.7x1.25mm ). VRRM: 80V. Cj: 3pF. Fonction: Commutation à haute vitesse. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM 0.5A (t=1s). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Trr Diode (Min.): 4 ns...

20SQ045-3G

Diode 20SQ045-3G, DO-201, 20A, 310A, DO-201AD ( 7.5x5.4mm ), 45V. Boîtier: DO-201. IF(AV): 20A. IFSM: 310A. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Vrms: 45V. Cj: 720pF. Courant d'impulsion max.: 310A. Courant: 20A. Fonction: Schottky Barrier Rectifier Diode. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: THT. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V. Tension inverse maxi: 45V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement Schottky...

21DQ06FC4

Diode 21DQ06FC4...

25F120

Diode 25F120, DO-4 (10-32 UNF-2A), DO-203AA, 25A. Boîtier: DO-4 (10-32 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AA. If [A]: 25A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 12mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 356A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.3V @ 78A...

25FR120

Diode 25FR120, DO-4 (10-32 UNF-2A), DO-203AA, 25A. Boîtier: DO-4 (10-32 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AA. If [A]: 25A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 12mA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 356A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.3V @ 78A...

30BQ100

Diode 30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC (8.1x6.2x2.6mm). VRRM: 100V. Cj: 115pF. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Marquage sur le boîtier: 3J. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.96V. Tension de seuil Vf (min): 0.62V...

30BQ100PBF

Diode 30BQ100PBF, SMC, DO-214AB, 3A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. If [A]: 3A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..5mA. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Ifsm [A]: 800A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.79V @ 3A...

30CPF04

Diode 30CPF04...

30CPQ100

Diode 30CPQ100, TO-247, TO-247AC. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: 920App / 5us. RoHS: oui. Structure diélectrique: Cathode commune...

30CPQ150

Diode 30CPQ150, 15A, 340A, TO-247, TO-247AC, 150V. IF(AV): 15A. IFSM: 340A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. VRRM: 150V. Cj: 340pF. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. IRM (max): 15mA. IRM (min): 0.1mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Cathode commune. RoHS: oui. Spec info: IFSM--Max. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.19V. Tension de seuil Vf (min): 1V...

30CPQ150PBF

Diode 30CPQ150PBF, SOD-81, 1A. Boîtier: SOD-81. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..10mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 25A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +125°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.6V @ 1A...

30CTQ045S

Diode 30CTQ045S, D²-PAK, TO-263, 2x15A. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. If [A]: 2x15A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 50uA..15mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 265A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 45V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.62V @ 15A...

30DF2

Diode 30DF2, 3A, DO-27, DO-27( 5.5x9.5mm ), 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 200App/10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode...

30DF4

Diode 30DF4, 3A, DO-27, DO-27( 5.5x9.5mm ), 400V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 200App/10ms...

30HFU600

31DF6

Diode 31DF6, 3A, 45A, DO-201, DO-201AD ( 5.6x10mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 45A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.6x10mm ). VRRM: 600V. Fonction: Ultra-Fast Recovery. IRM (max): 100uA. IRM (min): 20uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 35 ns...

10A10

Diode 10A10, R-6, 10A, 400A, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V. Boîtier: R-6. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Courant d'impulsion max.: 400A. Courant: 10A. Equivalences: P1000M, 10A07-TP. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage du fabricant: 28.7k Ohms. Marquage sur le boîtier: 28.7k Ohms. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Tension inverse maxi: 1kV. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement...

12CWQ10FN

Diode 12CWQ10FN, 12A, 330A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. IF(AV): 12A. IFSM: 330A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 100V. Cj: 183pF. Equivalences: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. Fonction: diode de redressement Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V...

150EBU02

Diode 150EBU02, 150A, 1600A, POWERTAB, 200V. IF(AV): 150A. IFSM: 1600A. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. VRRM: 200V. Cj: 180pF. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.13V. Tension de seuil Vf (min): 0.99V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

150EBU04

Diode 150EBU04, 150A, 1500A, POWERTAB, 400V. IF(AV): 150A. IFSM: 1500A. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.07V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...