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1N5394

1N5394

Diode 1N5394, 1.5A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.3x6.4mm ), 300V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 300V. Cj: 20pF. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

0.0408€
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1N5396

1N5396

Diode 1N5396, 1.5A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.3x6.4mm ), 500V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Cj: 20pF. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

0.0436€
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1N5399

1N5399

Diode 1N5399, 1.5A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.3x6.4mm ), 1000V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

0.0329€
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1N5406

1N5406

Diode 1N5406, DO-27, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 5us. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

0.0842€
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1N5406H

1N5406H

Diode 1N5406H, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: entraxe 15mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 5us...

0.0626€
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1N5711

1N5711

Diode 1N5711, 15mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 70V. IF(AV): 15mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Distance entre connexions (pas): 4.5x2mm. Fonction: détection VHF/UHF. IRM (max): 0.2uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode SCHOTTKY. RoHS: oui. Spec info: f=1MHz 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V...

0.13€
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1N5711W-7-F

1N5711W-7-F

Diode 1N5711W-7-F, 15mA, SOD-123, SOD123, 70V. IF(AV): 15mA. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Dimensions: 2.85x1.7x1.35mm. Fonction: détection VHF/UHF. IRM (max): 0.2uA. Marquage sur le boîtier: SA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode SCHOTTKY. RoHS: oui. Spec info: f=1MHz 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V...

0.21€
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1N5817

1N5817

Diode 1N5817, DO-204, 1A, 25A, DO-204AL ( 5.2x2.7mm ), 20V. Boîtier: DO-204. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 5.2x2.7mm ). VRRM: 20V. Cj: 110pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.45V. Tension de seuil: 450mV. Tension inverse maxi: 20V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement Schottky...

0.0522€
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Minimum: 10
1N5818

1N5818

Diode 1N5818, DO-41, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 30 v. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 30 v. Cj: 110pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Fonction: diode de redressement Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Tension de seuil: 550mV. Tension inverse maxi: 30V. Type de diode: diode de redressement Schottky...

0.0414€
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Quantité en stock: 2521
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1N5819

1N5819

Diode 1N5819, DO-41, DO-204AL, 1A, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 40V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AL. IF(AV): 1A. If [A]: 1A. IFSM: 25A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 55pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..10mA. Courant: 1A. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Fonction: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 40A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.6V. Tension de seuil: 600mV. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.6V @ 1A...

0.0521€
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1N5819HW-7-F

1N5819HW-7-F

Diode 1N5819HW-7-F, 1A, 25A, SOD-123, SOD123 ( 2.85x1.7mm ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 50pF. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 1.5mA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SL. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Puissance: 450mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.32V...

0.0781€
Quantité en stock: 2647
Minimum: 10
1N5822

1N5822

Diode 1N5822, DO-27, 3A, 80A, 3A, DO-27 ( 9.6x5.6mm ), 40V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.6x5.6mm ). VRRM: 40V. Cj: 250pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 80A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2mA..20mA. Courant: 3A. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.475V. Tension de seuil: 530mV. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.95V @ 3A...

0.22€
+5377 rapidement
Quantité en stock: 507
1N6263

1N6263

Diode 1N6263, 15mA, 50mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 60V. IF(AV): 15mA. IFSM: 50mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 2.2pF. Fonction: Ultrafast switching. IRM (max): 0.2uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: détection VHF/UHF. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V...

0.19€
Quantité en stock: 3649
1N914

1N914

Diode 1N914, DO-35 ( SOD27 ), 300mA, 4A, DO-35, 100V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). IF(AV): 300mA. IFSM: 4A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Courant: 0.3A. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: 0...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 620mV. Tension inverse maxi: 100V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Type de diode: diode de commutation...

0.0463€
+100 rapidement
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Quantité en stock: 7135
Minimum: 10
1SS133

1SS133

Diode 1SS133, 130mA, 400mA, DO-34 ( SOD68 ), DO-34, 80V. IF(AV): 130mA. IFSM: 400mA. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34. VRRM: 80V. Cj: 2pF. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 0.5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Trr Diode (Min.): 4 ns...

0.11€
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Quantité en stock: 495
Minimum: 5
1SS355

1SS355

Diode 1SS355, 100mA, 500mA, SOD-323, SOD-323 ( 1.7x1.25mm ), 80V. IF(AV): 100mA. IFSM: 500mA. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323 ( 1.7x1.25mm ). VRRM: 80V. Cj: 3pF. Fonction: Commutation à haute vitesse. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM 0.5A (t=1s). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Trr Diode (Min.): 4 ns...

0.0765€
Quantité en stock: 2511
Minimum: 10
20SQ045-3G

20SQ045-3G

Diode 20SQ045-3G, DO-201, 20A, 310A, DO-201AD ( 7.5x5.4mm ), 45V. Boîtier: DO-201. IF(AV): 20A. IFSM: 310A. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Vrms: 45V. Cj: 720pF. Courant d'impulsion max.: 310A. Courant: 20A. Fonction: Schottky Barrier Rectifier Diode. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: THT. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V. Tension inverse maxi: 45V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement Schottky...

0.87€
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30BQ100

30BQ100

Diode 30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC (8.1x6.2x2.6mm). VRRM: 100V. Cj: 115pF. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Marquage sur le boîtier: 3J. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.96V. Tension de seuil Vf (min): 0.62V...

0.42€
Quantité en stock: 3488
30CPQ150

30CPQ150

Diode 30CPQ150, 15A, 340A, TO-247, TO-247AC, 150V. IF(AV): 15A. IFSM: 340A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. VRRM: 150V. Cj: 340pF. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. IRM (max): 15mA. IRM (min): 0.1mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Cathode commune. RoHS: oui. Spec info: IFSM--Max. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.19V. Tension de seuil Vf (min): 1V...

3.10€
Quantité en stock: 30
31DF6

31DF6

Diode 31DF6, 3A, 45A, DO-201, DO-201AD ( 5.6x10mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 45A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.6x10mm ). VRRM: 600V. Fonction: Ultra-Fast Recovery. IRM (max): 100uA. IRM (min): 20uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 35 ns...

2.20€
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10A10

10A10

Diode 10A10, R-6, 10A, 400A, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V. Boîtier: R-6. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Courant d'impulsion max.: 400A. Courant: 10A. Equivalences: P1000M, 10A07-TP. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage du fabricant: 28.7k Ohms. Marquage sur le boîtier: 28.7k Ohms. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Tension inverse maxi: 1kV. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement...

0.37€
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