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BAT48

BS890

Diode BS890, 8A, 155A, DO-201, DO-201AD ( 7.5x5.4mm ), 90V. IF(AV): 8A. IFSM: 155A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Fonction: Diode de redressement à barrière Schottky, sorties axiales. IRM (max): 20mA. IRM (min): 5mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.83V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V...

BY228

Diode BY228, DO-201, 3A, 70A, 3A, DO-201AD ( 7.5x4.5mm ), 1500V. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x4.5mm ). VRRM: 1500V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..140uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 5uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 50A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Poids: 12g. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--70Ap/10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.5 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 2us. [V]: 1.5V @ 5A...

BY297

Diode BY297, 2A, 70A, DO-15, DO-15 ( 7.6x3.6mm ), 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifms 70Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

BY299

BY500-1000

Diode BY500-1000, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 10uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 200 ns...

BY500-200

BY500-600

BY500-800

BY550-1000

Diode BY550-1000, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Fonction: Silicon Rectifiers. IRM (max): 20uA. IRM (min): 20uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V...

BY550-400

Diode BY550-400, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 400V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. IRM (max): 5uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V...

BY550-600

Diode BY550-600, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 600V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. IRM (max): 20uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V...

EM516

Diode EM516, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( 5.2x2.7 ), 1600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 30Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

MBR760-E3-45

Diode MBR760-E3-45, TO-220AC, TO-220AC, 7.5A. Boîtier: TO-220AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AC. If [A]: 7.5A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 500uA..50mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 7.5A...

MBRS3100T3G

Diode MBRS3100T3G, 3A, 130A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 130A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B310. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V...

MBRS3200T3G

Diode MBRS3200T3G, 3A, 100A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 200V. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: B320. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.84V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.84V. Tension de seuil Vf (min): 0.84V...

MBRS330T3G

Diode MBRS330T3G, 3A, 80A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 30 v. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 30 v. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B33. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.50V/3A, (If=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V...

MBRS340T3G

Diode MBRS340T3G, 3A, 80A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 40V. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B34. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.525V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.525V. Tension de seuil Vf (min): 0.525V...

MUR120

Diode MUR120, 1A, 35A, DO-41, CASE 59-10 (7.3x3.4mm), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). VRRM: 200V. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. IRM (max): 5uA. IRM (min): 2uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--35App. Température de fonctionnement: -65...+175°C...

RL207

Diode RL207, 2A, 70A, DO-15, DO-15 ( 7.6x3.6mm ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Fonction: Silicon Rectifier. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--70Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

SK510

Diode SK510, 5A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm, 100V. IF(AV): 5A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 100V. Autre nom: SK510C. Cj: 200pF. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. IRM (max): 1mA. IRM (min): 100uA. Marquage sur le boîtier: SK510. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. Trr Diode (Min.): -...

SS34-E3-57T

Diode SS34-E3-57T, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm, 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Cj: -. Equivalences: SS34-E3/9AT. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. IRM (max): 20mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS34. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. Trr Diode (Min.): -...

SS54

Diode SS54, DO-214, 5A, 100A, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 40V. Boîtier: DO-214. IF(AV): 5A. IFSM: 100A. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Cj: -. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. IRM (max): 20mA. IRM (min): 200uA. Marquage sur le boîtier: SS54. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.6V. Trr Diode (Min.): -...

MBRS360T3G

Diode MBRS360T3G, DO-214, DO-214AB, 3A, 80A, 3A, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 60V. Boîtier: DO-214. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.03mA..3mA. Equivalences: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Fonction: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 60A. Marquage sur le boîtier: B36. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.74V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.63V @ 3A...