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HER308

HER308

Diode HER308, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Poids: 1.1g. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement à haut rendement. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

0.27€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 356
HER608

HER608

Diode HER608, 6A, 150A, R-6, R-6 (8.8x7mm), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 150A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. RoHS: oui. Spec info: 150Ap/8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Tr: 75 ns...

0.54€
Quantité en stock: 94
HFA08TB60

HFA08TB60

Diode HFA08TB60, 8A, 60A, TO-220, TO-220AC-2, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 60A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 36W. Equivalences: 39.2k Ohms. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marquage sur le boîtier: HFA08TB60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFRM 24A. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Trr Diode (Min.): 18 ns. Unité de conditionnement: 50...

1.31€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 27
HFA15TB60

HFA15TB60

Diode HFA15TB60, 15A, 50A, TO-220, TO-220AC-2, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 50A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 400uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: HFA15TB60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Unité de conditionnement: 50...

2.08€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 59
HFA25TB60

HFA25TB60

Diode HFA25TB60, 25A, 225A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 25A. IFSM: 225A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Equivalences: VS-HFA25TB60-M3. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 600uA. IRM (min): 1.5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--225Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 23 ns...

4.44€
Quantité en stock: 33
HFA30PA60C

HFA30PA60C

Diode HFA30PA60C, 30A, 150A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 19 ns. Unité de conditionnement: 25...

7.78€
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HP5082-2800

HP5082-2800

Diode HP5082-2800, DO-35, 0.015A. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.015A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.2uA. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. Ifsm [A]: -. Nombre de bornes: 2. RoHS: non. Température maxi: +200°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.41V @ 1mA...

2.42€
Quantité en stock: 91
HSMS-2810-TR1G

HSMS-2810-TR1G

Diode HSMS-2810-TR1G, SOT-23, 0.005A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.005A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 200nA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 1A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 20V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.41V @ 1mA...

1.11€
Quantité en stock: 28
IRKD56-12A

IRKD56-12A

Diode IRKD56-12A, Add-A-PAK, 60A. Boîtier: Add-A-PAK. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 60A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 1600A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.51V @ 60A...

96.24€
Quantité en stock: 1