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PMEG6010CEJ

Diode PMEG6010CEJ, 1A, 10A, SOD-323, SOD-323F, 60V. IF(AV): 1A. IFSM: 10A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323F. VRRM: 60V. Fonction: diode de redressement Schottky (série Mega). Marquage sur le boîtier: EQ. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.66V. Tension de seuil Vf (min): 0.21V...

MBRS1100T3G

Diode MBRS1100T3G, SMB, DO-214AC, 1A. Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..5mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 50A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 1A...

SM4002

UG3DB

Diode UG3DB...

ES1J

Diode ES1J, 1A, DO-214, DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm, 600V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. Remarque: 30App/8.3ms, marquage CMS ES1J...

SKN26-12

Diode SKN26-12, E8 (M6), DO-203AA, 25A. Boîtier: E8 (M6). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AA. If [A]: 25A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 4mA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 375A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +180°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.55V @ 60A...

STPS340S

Diode STPS340S, SMC, DO-214AB, 3A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. If [A]: 3A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant d'impulsion max.: 75A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 20uA..10mA. Courant: 6A. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 75A. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 0.52V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil: 630mV, 0.52V. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.63V @ 3A...

MUR160RLG

Diode MUR160RLG, DO41. Boîtier: DO41. Conditionnement: -. Courant: 1A. Montage/installation: THT. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1.25V. Tension inverse maxi: 600V. Type de conditionnement: -. Type de diode: diode de redressement...

P600D

STTH3010W

Diode STTH3010W, DO-247, DO-247. Boîtier: DO-247. Boîtier (selon fiche technique): DO-247. Remarque: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms...

HER105

Diode HER105, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Equivalences: HER105G. Fonction: diode de redressement à haut rendement. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

SS54A

Diode SS54A...

HFA15TB60

Diode HFA15TB60, 15A, 50A, TO-220, TO-220AC-2, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 50A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 400uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: HFA15TB60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Unité de conditionnement: 50...

SKKD100-16

Diode SKKD100-16, SEMIPACK1 MODUL, 100A. Boîtier: SEMIPACK1 MODUL. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 100A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 2500A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +125°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.6 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.35V @ 300A...

SS12

Diode SS12, DO214AC. Boîtier: DO214AC. Courant d'impulsion max.: 40A. Courant: 1A. Montage/installation: SMD. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Tension de conduction (tension de seuil): 0.5V. Tension inverse maxi: 20V. Type de diode: diode de redressement Schottky...

U1DF

Diode U1DF...

SR520

Diode SR520, 5A, 120Ap / 8.3ms, DO-201, DO-201AD, 20V. IF(AV): 5A. IF(RMS): 120Ap / 8.3ms. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 20V. Cj: 250pF. Diode Schottky?: Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V...

STTH6110TV2

1N5818

Diode 1N5818, DO-41, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 30 v. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 30 v. Cj: 110pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Fonction: diode de redressement Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Tension de seuil: 550mV. Tension inverse maxi: 30V. Type de diode: diode de redressement Schottky...

SS16

Diode SS16, SMA. Boîtier: SMA. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Montage/installation: SMD. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Tension inverse maxi: 60V. Type de diode: diode de redressement Schottky...

BY228-TH

Diode BY228-TH, 3A, 50A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 1500V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Fonction: montage sur dissipateur thermique. IRM (max): 140uA. IRM (min): 2uA. Marquage sur le boîtier: 97053100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 4.2x4.3mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Trr Diode (Min.): 2us...

GR5M

Diode GR5M...

BAT54S-215

Diode BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 200mA. If [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 2uA. Ifsm [A]: 0.6A. Marquage sur le boîtier: L44 ou V4. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV. Trr Diode (Min.): 5 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

MBR20200CTG

Diode MBR20200CTG, TO-220AB, TO-220AB, 2x10A. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. If [A]: 2x10A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..50mA. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Ifsm [A]: 150A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.9V @ 10A...