Rechercher "diode stth30r06cw"

SS510A

Diode SS510A...

BAS19GEG

Diode BAS19GEG, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 2.5A. Courant: 200mA, 0.625A. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.25W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 120V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

FR102

Diode FR102, 1A, DO-41, DO-41, 100V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 30App/8.3ms...

MBR2545CT-E3-45

Diode MBR2545CT-E3-45...

19TQ015

Diode 19TQ015, 19A, TO-220, TO-220AB, 15V. IF(AV): 19A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 15V. Diode Schottky?: Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: 700App/5us, 330App/10ms. Température de fonctionnement: -55...+175°C...

MBR20100CTTU

Diode MBR20100CTTU, TO-220AB, TO-220AB, 2x10A. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. If [A]: 2x10A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 200uA..5mA. Famille de composants: double diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 10A...

E1DF

Diode E1DF...

SS34BF

Diode SS34BF...

BY226

Diode BY226, 1.5A, 650V. IF(AV): 1.5A. VRRM: 650V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GR...

FR604

Diode FR604...

80SQ05

HFA30PA60C

Diode HFA30PA60C, 30A, 150A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 19 ns. Unité de conditionnement: 25...

B0JAMK000023

Diode B0JAMK000023...

EGP50G

Diode EGP50G, 5A, 150A, DO-201, DO-201AD, 400V. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Fonction: Ultra Fast Diode. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: Gl, S. RoHS: oui. Spec info: 150Ap / 8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

HER305

Diode HER305, 3A, 150A, DO-27, DO-27 (9.5x5.6mm), 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Poids: 0.4g. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement à haut rendement. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

DSEP12-12A

Diode DSEP12-12A, 15A, 90A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 15A. IFSM: 90A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 95W. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 0.5mA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.79V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Unité de conditionnement: 50...

SS54

Diode SS54, DO-214, 5A, 100A, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 40V. Boîtier: DO-214. IF(AV): 5A. IFSM: 100A. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Cj: -. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. IRM (max): 20mA. IRM (min): 200uA. Marquage sur le boîtier: SS54. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.6V. Trr Diode (Min.): -...

BAS70-06-215

Diode BAS70-06-215, SOT-23, 0.07A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.07A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..10uA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 0.1A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 10mA...

BY228

Diode BY228, DO-201, 3A, 70A, 3A, DO-201AD ( 7.5x4.5mm ), 1500V. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x4.5mm ). VRRM: 1500V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..140uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 5uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 50A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Poids: 12g. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--70Ap/10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.5 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 2us. [V]: 1.5V @ 5A...

D6025LTP

Diode D6025LTP, 15.9A, 300A, TO-220FP, TO-220FP-3, 600V. IF(AV): 15.9A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: 'Fast Recovery Rectifiers'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Température: +125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Trr Diode (Min.): 4us. Unité de conditionnement: 50...

SB3100

SB560-3G

STTH2R06

Diode STTH2R06, 2A, 40A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Date de production: 201506. Fonction: AXIAL TURBO 2 DIODE. IRM (max): 12uA. IRM (min): 2uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--40App, t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 35 ns...

SM518

Diode SM518, MELF, DO-213AB, 1A. Boîtier: MELF. Boîtier (norme JEDEC): DO-213AB. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 40A. Nombre de bornes: 2. RoHS: non. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.8 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...