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EGP20B

Diode EGP20B, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 100V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 75Ap/8.3ms...

BYT56G

Diode BYT56G, 3A, 80A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Conditionnement: -. Fonction: Diode de redressement et de commutation très rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): -. Trr Diode (Min.): 100 ns. Unité de conditionnement: 2500...

RURG5060

MBRS10H200CT

Diode MBRS10H200CT...

RHRP15120

Diode RHRP15120, 15A, 200A, TO-220, TO-220AC-2, 1200V. IF(AV): 15A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Fonction: Hyperfast Diode. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode hyper rapide. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--200Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V. Trr Diode (Min.): 65 ns...

SF38

Diode SF38...

SL34F

Diode SL34F...

FM14

Diode FM14...

MBR10100T

Diode MBR10100T, TO220, DO220. Boîtier: TO220, DO220. Conditionnement: tubus. Courant: 10A. Montage/installation: THT. RoHS: oui. Tension inverse maxi: 100V. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement Schottky. Épaisseur du dissipateur thermique: 1.14...1.39mm...

MUR8100EG

MBR3100RLG

Diode MBR3100RLG, DO-201, DO-201AD, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): DO-201AD. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.6mA..20mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.79V @ 3A...

HFA08TB60

Diode HFA08TB60, 8A, 60A, TO-220, TO-220AC-2, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 60A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 36W. Equivalences: 39.2k Ohms. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marquage sur le boîtier: HFA08TB60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFRM 24A. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Trr Diode (Min.): 18 ns. Unité de conditionnement: 50...

RHRP8120

Diode RHRP8120, TO-220, 8A, 100A, TO-220AC, 1200V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Conditionnement: tubus. Courant d'impulsion max.: 100A. Courant: 16A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra-rapide. Puissance: 75W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode hyper rapide. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V. Tension inverse maxi: 1.2kV. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de diode: diode de redressement. Épaisseur du dissipateur thermique: max 1.4mm...

BYT52M

Diode BYT52M, 1.4A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 1.4A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Fonction: Diode de redressement et de commutation rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tr: 200 ns...

S1B

VS-85HF120

Diode VS-85HF120, DO-5 (1/4-28 UNF-2A), DO-203AB, 85A. Boîtier: DO-5 (1/4-28 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AB. If [A]: 85A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 9mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 1700A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +180°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 267A...

UF5404

PESD5V0S2BT

Diode PESD5V0S2BT, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant d'impulsion max.: 12A. Courant de fuite: 100nA. Montage/installation: SMD. Puissance: 130W. RoHS: oui. Tension de claquage: 5V, 7.5V. Tension inverse maxi: 5V. Type de diode: TVS...

SS26A

Diode SS26A...

RS2B

Diode RS2B, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 100V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

P1200D

Diode P1200D, 12A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 12A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.84V @ 5A...

BAR43SFILM

Diode BAR43SFILM...

L217-SK34SMA-15MQ040N

STPS10L25D

Diode STPS10L25D, TO-220AC, 10A. Boîtier: TO-220AC. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 10A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.8..260mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 25V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.46V @ 10A...